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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MMDT3946-7-F
MMDT3946-7-F PDF预览

MMDT3946-7-F

更新时间： 2024-02-04 10:20:54
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美台 - DIODES 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 314K
描述
COMPLEMENTARY NPN / PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

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MMDT3946-7-F 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：0.69
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：30
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN AND PNP最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
认证状态：Not Qualified子类别：BIP General Purpose Small Signals
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：300 MHz
最大关闭时间（toff）：250 ns最大开启时间（吨）：70 ns
Base Number Matches：1

MMDT3946-7-F 数据手册

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SPICE MODELS: MMDT3946  
MMDT3946  
Lead-free  
COMPLEMENTARY NPN / PNP  
SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR  
Features  
•
•
Complementary Pair  
A
SOT-363  
One 3904-Type NPN,  
One 3906-Type PNP  
C2  
B1  
E1  
Dim  
A
Min  
0.10  
1.15  
2.00  
Max  
0.30  
1.35  
2.20  
•
•
•
•
Epitaxial Planar Die Construction  
C
B
Ideal for Low Power Amplification and Switching  
Ultra-Small Surface Mount Package  
Lead Free/RoHS Compliant (Note 3)  
B
E2  
B2  
C1  
C
G
H
D
0.65 Nominal  
F
0.30  
1.80  
0.40  
2.20  
0.10  
1.00  
0.40  
0.25  
8°  
K
M
Mechanical Data  
H
J
J
•
•
Case: SOT-363  
L
D
F
K
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
0.90  
0.25  
0.10  
0°  
C2  
B1  
E1  
L
•
•
•
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
M
Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
α
Lead Free Plating (Matte Tin Finish annealed over Alloy  
42 leadframe).  
E2  
B2  
C1  
All Dimensions in mm  
E1, B1, C1 = PNP3906 Section  
E2, B2, C2 = NPN3904 Section  
•
•
•
•
Terminal Connections: See Diagram  
Marking (See Page 3): K46  
Ordering & Date Code Information: See Page 3  
Weight: 0.006 grams (approximate)  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings, NPN 3904 Section  
Characteristic  
Collector-Base Voltage  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
NPN 3904 Section  
Unit  
V
60  
40  
Collector-Emitter Voltage  
V
Emitter-Base Voltage  
6.0  
200  
200  
625  
V
Collector Current - Continuous (Note 1)  
Power Dissipation (Note 1, 2)  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)  
mA  
mW  
°C/W  
Pd  
RθJA  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings, PNP 3906 Section  
Characteristic  
Collector-Base Voltage  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
PNP 3906 Section  
Unit  
V
-40  
-40  
Collector-Emitter Voltage  
V
Emitter-Base Voltage  
-5.0  
-200  
200  
625  
V
Collector Current - Continuous (Note 1)  
Power Dissipation (Note 1, 2)  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)  
mA  
mW  
°C/W  
Pd  
RθJA  
Notes:  
1. Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch; pad layout as shown on Diodes Inc. suggested pad layout  
document AP02001, which can be found on our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
2. Maximum combined dissipation.  
3. No purposefully added lead.  
DS30123 Rev. 8 - 2  
1 of 5  
MMDT3946  
www.diodes.com  
Diodes Incorporated  
12345

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