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MMDT4126-7

更新时间： 2024-02-13 12:33:40
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 127K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 25V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-6

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MMDT4126-7 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：1.36
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：25 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：60
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：250 MHz
Base Number Matches：1

MMDT4126-7 数据手册

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MMDT4126  
DUAL PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR  
Features  
A
•
•
•
•
•
•
Epitaxial Planar Die Construction  
SOT-363  
B1  
C2  
Complementary NPN Type Available (MMDT4124)  
Ideal for Medium Power Amplification and Switching  
Ultra-Small Surface Mount Package  
Lead Free/RoHS Compliant (Note 3)  
"Green" Device (Note 4 and 5)  
E1  
Dim  
A
B
C
D
F
Min  
0.10  
1.15  
2.00  
Max  
0.30  
1.35  
2.20  
C
B
B2  
C1  
E2  
0.65 Nominal  
G
H
0.30  
1.80  
—
0.40  
2.20  
0.10  
1.00  
0.40  
0.25  
8°  
Mechanical Data  
H
J
K
J
M
•
•
Case: SOT-363  
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
K
L
0.90  
0.25  
0.10  
0°  
L
D
F
•
•
•
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
Lead Free Plating (Matte Tin Finish annealed  
over Alloy 42 leadframe).  
Terminal Connections: See Diagram  
Marking Information: K2B, See Page 3  
Ordering & Date Code Information: See Page 3  
Weight: 0.006 grams (approximate)  
M
α
All Dimensions in mm  
•
•
•
•
Maximum Ratings @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Collector-Base Voltage  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Value  
-25  
Unit  
V
Collector-Emitter Voltage  
-25  
V
Emitter-Base Voltage  
-4.0  
-200  
200  
625  
V
Collector Current – Continuous  
Power Dissipation  
(Note 1)  
(Note 1,2)  
(Note 1)  
mA  
mW  
Pd  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
°C/W  
°C  
Rθ  
JA  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
Tj, TSTG  
Notes:  
1. Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch; pad layout as shown on Diodes Inc. suggested pad layout document AP02001, which  
can be found on our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
2. Maximum combined dissipation.  
3. No purposefully added lead.  
4. Diodes Inc.'s "Green" policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.  
5. Product manufactured with Date Code UO (week 40, 2007) and newer are built with Green Molding Compound. Product manufactured prior to Date  
Code UO are built with Non-Green Molding Compound and may contain Halogens or Sb2O3 Fire Retardants.  
MMDT4126  
© Diodes Incorporated  
DS30160 Rev. 9 - 2  
1 of 4  
www.diodes.com  
1234

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MMDT4126-7 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MMDT4126-7-F DIODES

完全替代

 DUAL PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMDT4126-7 DIODES

功能相似

 Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 25V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, ULTRA S

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