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MMDT4146-7-F

更新时间： 2024-11-14 03:48:59
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美台 - DIODES 晶体晶体管
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5页 80K
描述
COMPLEMENTARY NPN / PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

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MMDT4146-7-F 数据手册

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SPICE MODEL: MMDT4146  
MMDT4146  
COMPLEMENTARY NPN / PNP  
SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR  
Features  
A
·
·
·
·
·
·
Complementary Pair  
SOT-363  
B1  
E1  
C2  
One 4124-Type NPN, One 4126-Type PNP  
Epitaxial Planar Die Construction  
Dim  
A
Min  
0.10  
1.15  
2.00  
Max  
0.30  
1.35  
2.20  
C
B
Ideal for Medium Power Amplification and Switching  
Ultra-Small Surface Mount Package  
B
C1  
E2  
B2  
C
Lead Free/RoHS Compliant (Note 3)  
G
H
D
0.65 Nominal  
F
0.30  
1.80  
¾
0.40  
2.20  
0.10  
1.00  
0.40  
0.25  
8°  
K
J
M
H
Mechanical Data  
J
·
Case: SOT-363  
L
D
F
K
0.90  
0.25  
0.10  
0°  
·
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
L
E1, B1, C1 = PNP4126 Section  
E2, B2, C2 = NPN4124 Section  
·
·
·
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
M
Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
a
Lead Free Plating (Matte Tin Finish annealed  
over Alloy 42).  
All Dimensions in mm  
C2  
B1  
E1  
·
·
·
·
Terminal Connections: See Diagram  
Marking (See Page 3): K12  
Ordering & Date Code Information: See Pages 2 & 3  
Weight: 0.006 grams (approx.)  
E2  
B2  
C1  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings, NPN 4124 Section  
Characteristic  
Collector-Base Voltage  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
NPN 4124 Section  
Unit  
V
30  
25  
Collector-Emitter Voltage  
V
Emitter-Base Voltage  
5.0  
200  
200  
625  
V
Collector Current - Continuous (Note 1)  
Power Dissipation (Note 1, 2)  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)  
mA  
mW  
°C/W  
Pd  
RqJA  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings, PNP 4126 Section  
Characteristic  
Collector-Base Voltage  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
PNP 4126 Section  
Unit  
V
-25  
-25  
-4  
Collector-Emitter Voltage  
V
Emitter-Base Voltage  
V
Collector Current - Continuous (Note 1)  
Power Dissipation (Note 1, 2)  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)  
-200  
200  
625  
mA  
mW  
°C/W  
Pd  
RqJA  
Notes: 1. Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch; pad layout as shown on Diodes Inc. suggested pad layout  
document AP02001, which can be found on our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
2. Maximum combined dissipation.  
3. No purposefully added lead.  
DS30162 Rev. 9 - 2  
1 of 5  
MMDT4146  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
12345

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MMDT4146-7-F 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MMDT4146-7 DIODES

完全替代

 Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 25V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon,

与MMDT4146-7-F相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMDT4401 MCC

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MMDT4401 BL Galaxy Electrical

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