MMDT4401P

更新时间： 2024-11-14 13:11:43

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		晶体晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
3页	340K
描述
TRANSISTOR 600 mA, 40 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-6, BIP General Purpose Small Signal

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MMDT4401P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.26	Base Number Matches：	1

MMDT4401P 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

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MMDT4401

Micro Commercial Components

Features

NPN

Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

Plastic-Encapsulate

Transistors

Ultra-Small Surface Mount Package

Epitaxial Planar Die Construction

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisure Sensitivity Level 1

Marking:K2X

Maximum Ratings @ 25 C Unless Otherwise Specified

SOT-363

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Rating

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Collector Dissipation

Rating(NPN)

Unit

0.6

0.2

P_C

T_J

Operating Junction Temperature

-55 to +150

T_STG

Storage Temperature

-55 to +150

Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Collector-Emitter Breakdown Voltage

(I_C=1mAdc, I_B=0)

Min

Max

Units

V_(BR)CEO

---

Vdc

Collector-Base Breakdown Voltage

(I_C=100uAdc, I_E=0)

Collector-Emitter Breakdown Voltage

(I_E=100uAdc, I_C=0)

Collector Cutoff Current

(V_CB=50Vdc,I_E=0)

Emitter Cutoff Current

V_(BR)CBO

V_(BR)EBO

I_CBO

---

Vdc

---

0.1

uAdc

I_EBO

(V_EB=-5Vdc,I_C=0)

DC Current Gain

DIMENSIONS

(I_C=0.1mAdc, V_CE=1Vdc)

(I_C=1mAdc, V_CE=1Vdc)

100

---

----

300

---

INCHES

MIN

h_FE

DIM

MAX

.014

.053

.096

MIN

0.15

1.15

2.15

MAX

0.35

1.35

2.45

NOTE

(I_C=10mAdc, V_CE=1Vdc)

(I_C=150mAdc, V_CE=1Vdc)

(I_C=500mAdc, V_CE=2Vdc)

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I_C=150mAdc, I_B=15mAdc)

(I_C=500mAdc, I_B=50mAdc)

Base-Emitter Saturation Voltage

(I_C=150mAdc, I_B=15mAdc)

(I_C=500mAdc, I_B=50mAdc)

Current Gain-Bandwidth Product

(V_CE=10.0Vdc, I_C=20mAdc, f=100MHz)

Output Capacitance

---

.006

.045

.085

.026

0.65Nominal

.047

.071

---

.055

.087

.004

.043

.018

.006

1.20

1.80

1.40

2.20

0.10

1.10

0.46

0.15

V_CE(sat)

---

0.4

0.75

Vdc

---

.035

.010

.003

0.90

0.26

0.08

0.95

1.2

V_BE(sat)

0.75

---

f_T

250

---

MHz

C_ob

6.5

(V_CB=5Vdc, f=1.0MHz, I_E=0)

_CC=30V,I_C=150mA,

t_d

t_r

t_S

t_f

Delay Time

Rise Time

---

_BE=2.00V, I_B1=15.00mA

225

Storage Time

Fall Time

V_CC=30V, I_C=150mA,

_B1=-I_B2=15mA

www.mccsemi.com

Revision: A

2011/01/01

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMDT4401Q	DIODES	获取价格	Dual NPN, 40V, 0.6A, SOT363
MMDT4401-TP	MCC	获取价格	NPN Plastic-Encapsulate Transistors
MMDT4401-TP-HF	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, HALOGEN
MMDT4403	MCC	获取价格	PNP Plastic-Encapsulate Transistors
MMDT4403	SECOS	获取价格	Multi-Chip Transistor
MMDT4403	PANJIT	获取价格	DUAL PNP GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR
MMDT4403	TRSYS	获取价格	DUAL PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMDT4403	DIODES	获取价格	DUAL PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMDT4403	LGE	获取价格	双极型晶体管
MMDT4403	CJ	获取价格	SOT-363

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