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MMDT4403

更新时间： 2024-09-20 22:46:07

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美台 - DIODES		晶体晶体管开关光电二极管
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3页	51K
描述
DUAL PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

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MMDT4403 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT-363
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	针数：	6
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.32
最大集电极电流 (IC)：	0.6 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e0
元件数量：	2	端子数量：	6
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	235	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	Base Number Matches：	1

MMDT4403 数据手册

MMDT4403

DUAL PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

Features

Epitaxial Planar Die Construction

Ideal for Low Power Amplification and

Switching

SOT-363

Dim

Min

0.10

1.15

2.00

Max

0.30

1.35

2.20

C₂

B₁

E₁

KXX

Mechanical Data

0.65 Nominal

E₂

B₂

C₁

Case: SOT-363, Molded Plastic

Terminals: Solderable per MIL-STD-202,

Method 208

Terminal Connections: See Diagram

Marking: K2T

Weight: 0.006 grams (approx.)

0.30

1.80

0.40

2.20

0.10

1.00

0.40

0.25

0.90

0.25

0.10

All Dimensions in mm

Maximum Ratings

@ T_A= 25°C unless otherwise specified

Characteristic

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

MMDT4403

-40

Unit

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

-40

Emitter-Base Voltage

-5.0

Collector Current - Continuous (Note 1)

Power Dissipation (Note 1, 2)

-600

K/W

°C

P_d

200

R_qJA

Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)

Operating and Storage and Temperature Range

625

T_j, T_STG

-55 to +150

Note:

1. Valid provided that terminals are kept at ambient temperature.

2. Maximum combined dissipation.

DS30110 Rev. 3P-1

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MMDT4403

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