5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > MMDT4413-TP
MMDT4413-TP PDF预览

MMDT4413-TP

更新时间： 2024-11-14 21:15:15
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 450K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-6

阅读下载

中文翻译

获取价格

MMDT4413-TP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.71
最大集电极电流 (IC)：0.6 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：40
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN AND PNP最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
认证状态：Not Qualified子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHz最大关闭时间（toff）：255 ns
最大开启时间（吨）：35 nsBase Number Matches：1

MMDT4413-TP 数据手册

 浏览型号MMDT4413-TP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MMDT4413-TP的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MMDT4413-TP的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MMDT4413-TP的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MMDT4413-TP的Datasheet PDF文件第6页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
MMDT4413  
Micro Commercial Components  
Features  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
·
·
·
Epitaxial Planar Die Construction  
NPN/PNP  
Plastic-Encapsulate  
Transistors  
One 4401-Type NPN ,One 4403-Type PNP  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
·
x
Marking:K13  
·
Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"  
Maximum Ratings @ 25OC Unless Otherwise Specified  
NPN 4401 Section  
Symbol  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Rating  
40  
Unit  
V
V
V
A
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
SOT-363  
60  
6
0.6  
0.2  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current-Continuous  
Collector Dissipation  
Thermal Resistance Junction to Ambient Air  
G
PC  
W
R
625  
W
thJA  
TJ  
TSTG  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
-55 to +150  
-55 to +150  
R
R
C
B
O
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified  
A
H
NPN 4401 Section  
Symbol  
Parameter  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=1mAdc, IB=0)  
Min  
Max  
Units  
M
K
V(BR)CEO  
40  
---  
Vdc  
J
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=100uAdc, IE=0)  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IE=100uAdc, IC=0)  
Collector Cutoff Current  
(VCB=50Vdc,IE=0)  
Emitter Cutoff Current  
D
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
ICBO  
60  
6
---  
---  
Vdc  
Vdc  
L
---  
---  
0.1  
0.1  
uAdc  
uAdc  
IEBO  
DIMENSIONS  
(VEB=-5Vdc,IC=0)  
DC Current Gain  
(IC=0.1mAdc, VCE=1Vdc)  
(IC=1mAdc, VCE=1Vdc)  
INCHES  
MIN  
MM  
DIM  
A
MAX  
.014  
.053  
.096  
MIN  
0.15  
1.15  
2.15  
MAX  
0.35  
1.35  
2.45  
NOTE  
20  
40  
80  
100  
40  
---  
---  
----  
300  
---  
.006  
.045  
.085  
hFE  
B
(IC=10mAdc, VCE=1Vdc)  
(IC=150mAdc, VCE=1Vdc)  
(IC=500mAdc, VCE=2Vdc)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=150mAdc, IB=15mAdc)  
(IC=500mAdc, IB=50mAdc)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
(IC=150mAdc, IB=15mAdc)  
(IC=500mAdc, IB=50mAdc)  
Current Gain-Bandwidth Product  
(VCE=10.0Vdc, IC=20mAdc, f=100MHz)  
Output Capacitance  
---  
C
D
G
H
J
.026  
0.65Nominal  
.047  
.071  
---  
.055  
.087  
.004  
.043  
.018  
.006  
1.20  
1.80  
1.40  
2.20  
0.10  
1.10  
0.46  
0.15  
---  
VCE(sat)  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
0.4  
0.75  
K
.035  
.010  
.003  
0.90  
0.26  
0.08  
L
M
VBE(sat)  
0.75  
---  
0.95  
1.2  
fT  
250  
---  
MHz  
C2  
B1  
E1  
Cob  
---  
6.5  
pF  
(VCB=5Vdc, f=1.0MHz, IE=0)  
V
CC=30V,IC=150mA,  
td  
tr  
tS  
tf  
Delay Time  
Rise Time  
Storage Time  
Fall Time  
---  
15  
20  
ns  
ns  
ns  
V
BE=2.0V, IB1=15.00mA  
---  
---  
225  
30  
VCC=30V, IC=150mA,  
E2  
B2  
C1  
IB1=-IB2=15mA  
ns  
www.mccsemi.com  
Revision: C  
2013/05/28  
1 of 6  
123456

中文翻译

下载PDF

与MMDT4413-TP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMDT4413-TP-HF MCC

获取价格

 		暂无描述
MMDT4944 SECOS

获取价格

 		Dual-Chip Plastic Encapsulated Transistor
MMDT5110W SEMTECH

获取价格

 		PNP Silicon Epitaxial Planar Digital Transistor
MMDT5110W-AH SWST

获取价格

 		数字三极管
MMDT5111W SEMTECH

获取价格

 		PNP Silicon Epitaxial Planar Digital Transistor
MMDT5111W-AH SWST

获取价格

 		数字三极管
MMDT5112W SEMTECH

获取价格

 		PNP Silicon Epitaxial Planar Digital Transistor
MMDT5112W-AH SWST

获取价格

 		数字三极管
MMDT5113W SEMTECH

获取价格

 		PNP Silicon Epitaxial Planar Digital Transistor
MMDT5113W-AH SWST

获取价格

 		数字三极管

与MMDT4413-TP相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证