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MMDT4403TB6

更新时间： 2024-02-11 12:27:31

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强茂 - PANJIT		晶体开关晶体管光电二极管通用开关
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描述
DUAL PNP GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR

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MMDT4403TB6 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-6	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.74	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	20
JESD-30 代码：	R-PDSO-F6	元件数量：	2
端子数量：	6	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	最大关闭时间（toff）：	255 ns
最大开启时间（吨）：	35 ns	Base Number Matches：	1

MMDT4403TB6 数据手册

MMDT4403TB6

DUAL PNP GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR

SOT-563

POWER

200 mWatts

40 Volts

VOLTAGE

FEATURES

• PNP epitaxial silicon, planar design

• Collector-emitter voltage V_CE= -40V

• Collector current I_C= -500mA

• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives

MECHANICAL DATA

• Case: SOT-563, Plastic

• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026

• Approx. Weight: 0.003 gram

• Marking: TZ

Fig.53

ABSOLUTE RATINGS

Parameter

Symbol

Value

-40

Units

Collector - Emitter Voltage

Collector - Base Voltage

Emitter - Base Voltage

VCEO

VCBO

VEBO

-40

-5.0

-500

Collector Current - Continuous

THERMAL CHARACTERISTICS

Parameter

Symbol

Value

200

Units

Max Power Dissipation (Note 1)

Thermal Resistance , Junction to Ambient

Junction Temperature

PTOT

R^JA

625

^OC/W

^OC

-55 to 150

Storage Temperature

TSTG

^OC

Note 1: Transistor mounted on FR-4 board 70 x 60 x 1mm.

PAN JIT RESERVES THE RIGHT TO IMPROVE PRODUCT DESIGN,FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE

REV.0.1-JUN.29.2009

PAGE . 1

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