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Datasheet > 暂无类别数据> MMDT4403-TP-HF
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MMDT4403-TP-HF

更新时间： 2024-11-14 13:11:43
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体晶体管开关光电二极管
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3页 491K
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MMDT4403-TP-HF 数据手册

 浏览型号MMDT4403-TP-HF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MMDT4403-TP-HF的Datasheet PDF文件第3页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
MMDT4403  
Micro Commercial Components  
Features  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
PNP  
RoHS Compliant. See ordering information)  
·
·
·
·
·
Epitaxial Planar Die Construction  
Plastic-Encapsulate  
Transistors  
Ideal for Low Power Amplification and Switching  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
Marking: K4M/K2T  
O
Maximum Ratings @ 25 C Unless Otherwise Specified  
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current-Continuous  
Collector Dissipation  
Rating(PNP)  
Unit  
V
V
V
A
SOT-363  
40  
40  
5
0.6  
0.2  
G
PC  
TJ  
W
R
Operating Junction Temperature  
-55 to +150  
C
B
TSTG  
Storage Temperature  
-55 to +150  
R
O
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified  
Symbol  
Parameter  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=-1mAdc, IB=0)  
Min  
Max  
Units  
A
H
V(BR)CEO  
40  
---  
Vdc  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=100uAdc, IE=0)  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IE=100uAdc, IC=0)  
Collector Cutoff Current  
(VCB=50Vdc,IE=0)  
Emitter Cutoff Current  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
ICBO  
40  
5
---  
---  
Vdc  
Vdc  
M
K
J
D
L
---  
---  
0.1  
0.1  
uAdc  
uAdc  
IEBO  
(VEB=-5Vdc,IC=0)  
DC Current Gain  
(IC=0.1mAdc, VCE=1Vdc)  
(IC=1mAdc, VCE=1Vdc)  
DIMENSIONS  
30  
60  
100  
100  
20  
---  
---  
----  
300  
---  
hFE  
INCHES  
MIN  
MM  
(IC=10mAdc, VCE=1Vdc)  
(IC=150mAdc, VCE=2Vdc)  
(IC=500mAdc, VCE=2Vdc)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=150mAdc, IB=15mAdc)  
(IC=500mAdc, IB=50mAdc)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
(IC=150mAdc, IB=15mAdc)  
(IC=500mAdc, IB=50mAdc)  
Current Gain-Bandwidth Product  
(VCE=10.0Vdc, IC=20mAdc, f=100MHz)  
Output Capacitance  
(VCB=10Vdc, f=1.0MHz, IE=0)  
Delay Time  
Rise Time  
Storage Time  
Fall Time  
---  
DIM  
A
MAX  
.014  
.053  
.096  
MIN  
0.15  
1.15  
2.15  
MAX  
0.35  
1.35  
2.45  
NOTE  
.006  
.045  
.085  
B
C
D
G
H
J
.026  
0.65Nominal  
VCE(sat)  
---  
---  
0.4  
0.75  
Vdc  
Vdc  
.047  
.071  
---  
.055  
.087  
.004  
.043  
.018  
.006  
1.20  
1.80  
1.40  
2.20  
0.10  
1.10  
0.46  
0.15  
---  
K
.035  
.010  
.003  
0.90  
0.26  
0.08  
0.95  
1.3  
VBE(sat)  
0.75  
---  
L
M
fT  
200  
---  
---  
MHz  
pF  
Cob  
8.5  
15  
V
CC=30V,IC=150mA,  
td  
tr  
tS  
tf  
---  
---  
---  
---  
ns  
ns  
ns  
ns  
V
BE=2.00V, IB1=15.00mA  
20  
225  
30  
VCC=30V, IC=150mA,  
B1=IB2=15mA  
I
www.mccsemi.com  
Revision: A  
1 of 3  
2011/01/01  
123

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