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MMDT4413

更新时间： 2024-11-15 14:54:59
品牌 Logo 应用领域
江苏长电/长晶 - CJ /
页数 文件大小 规格书
6页 1777K
描述
SOT-363

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MMDT4413 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.71
最大集电极电流 (IC)：0.2 A最小直流电流增益 (hFE)：20
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：NPN/PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.2 W子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：YES标称过渡频率 (fT)：200 MHz
Base Number Matches：1

MMDT4413 数据手册

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JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD  
SOT-363 Plastic-Encapsulate Transistors  
DUAL TRANSISTOR (NPN+PNP)  
MMDT4413  
SOT-363  
FEATURES  
z
Complementary Pair  
One 4401-Type NPN  
One 4403-Type PNP  
z
z
z
Epitaxial Planar Die Construction  
Ideal for Low Power Amplification and Switching  
MAKING: K13  
Maximum Ratings, NPN 4401 Section (Ta = 25℃ unless otherwise specified)  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Parameter  
Collector-Base Voltage  
Value  
60  
Units  
V
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
40  
V
6
V
Collector Current -Continuous  
Collector Power Dissipation  
0.6  
0.2  
625  
A
PC  
W
RθJA  
Thermal Resistance from Junction to Ambient  
℃/W  
Operation Junction and  
Storage Temperature Range  
℃
TJ,Tstg  
-55 ~ +150  
NPN 4401 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Test conditions  
IC= 100 μA, IE=0  
Min  
60  
40  
6
Max  
Unit  
V
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cut-off current  
IC= 1mA, IB=0  
V
IE= 100 μA, IC=0  
V
VCB= 50 V , IE=0  
0.1  
0.5  
0.1  
μA  
μA  
μA  
Collector cut-off current  
ICEO  
VCE= 35 V , IB=0  
Emitter cut-off current  
IEBO  
VEB= 5V , IC=0  
hFE(1)  
hFE(2)  
hFE(3)  
hFE(4)  
hFE(5)  
VCE(sat)1  
VCE(sat)2  
VBE(sat)1  
VBE(sat)2  
fT  
VCE= 1V, IC= 0.1mA  
VCE= 1V, IC= 1mA  
VCE= 1V, IC= 10mA  
VCE= 1V, IC= 150mA  
VCE= 2V, IC= 500mA  
IC=150 mA, IB= 15mA  
IC=500 mA, IB= 50mA  
IC= 150 mA, IB= 15mA  
IC= 500 mA, IB= 50mA  
VCE= 10V,IC= 20mA,f=100MHz  
VCB=5V, IE= 0,f=1MHz  
20  
40  
DC current gain  
80  
100  
40  
300  
0.4  
0.75  
0.95  
1.2  
V
V
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
0.75  
250  
V
V
Transition frequency  
Output Capacitance  
Delay time  
MHz  
pF  
nS  
nS  
nS  
nS  
Cob  
6.5  
15  
td  
VCC=30V,  
V
BE=2.0V,IC=150mA ,IB1=15mA  
Rise time  
tr  
20  
Storage time  
Fall time  
tS  
225  
30  
VCC=30V, IC=150mA,IB1=- IB2= 15mA  
tf  
www.jscj-elec.com  
1
Rev. - 2.0  
123456

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