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MMDT4403 PDF预览

MMDT4403

更新时间： 2024-11-15 14:51:59
品牌 Logo 应用领域
鲁光 - LGE 开关光电二极管双极型晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 788K
描述
双极型晶体管

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MMDT4403 技术参数

极性：PNP×2Collector-emitter breakdown voltage：40
Collector Current - Continuous：0.6DC current gain - Min：100
DC current gain - Max：300Transition frequency：200
Package：SOT-363Storage Temperature Range：-55-150
class：Transistors

MMDT4403 数据手册

 浏览型号MMDT4403的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MMDT4403的Datasheet PDF文件第3页 
MMDT4403  
SOT-363 Dual Transistor (PNP)  
SOT-363  
Features  
—
—
Epitaxial Planar Die Construction  
Ideal for Low Power Amplification and Switching  
MRKING:K2T  
Maximum Ratings (TA = 25℃ unless otherwise specified)  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Parameter  
Collector-Base Voltage  
Value  
-40  
Units  
V
Dimensions in inches and (millimeters)  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
-40  
V
-5  
V
Collector Current -Continuous  
Collector Power Dissipation  
Thermal Resistance. Junction to Ambient Air  
Junction Temperature  
-0.6  
A
PC  
0.2  
W
RθJA  
TJ  
625  
℃/W  
℃
150  
Tstg  
Storage Temperature  
-55 to +150  
℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃  
unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test  
conditions  
MIN  
-40  
-40  
-5  
TYP  
MAX  
UNIT  
V
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cut-off current  
V(BR)CBO IC=-100μA , IE=0  
V(BR)CEO IC= -1mA ,  
IB=0  
IC=0  
V
V(BR)EBO IE=-100μA,  
V
ICBO  
ICEO  
VCB=-50V, IE=0  
VCE=-35V, IB=0  
VEB=-5V, IC=0  
-0.1  
-0.5  
-0.1  
μA  
μA  
μA  
Collector cut-off current  
Emitter cut-off current  
IEBO  
hFE(1)  
hFE(2)  
hFE(3)  
hFE(4)  
hFE(5)  
VCE=-1V, IC= -0.1mA  
VCE=-1V, IC= -1mA  
VCE=-1 V, IC= -10mA  
VCE=-2 V, IC= -150mA  
VCE=-2 V, IC= -500mA  
30  
60  
DC current gain  
100  
100  
20  
300  
VCE(sat)1 IC=-150 mA, IB=-15mA  
VCE(sat)2 IC=-500 mA, IB=-50mA  
VBE(sat)1 IC= -150 mA, IB=-15mA  
VBE(sat)2 IC= -500 mA, IB=-50mA  
-0.4  
-0.75  
-0.95  
-1.3  
V
V
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
-0.75  
200  
V
V
Transition frequency  
Output Capacitance  
Delay time  
f T  
Cob  
td  
VCE= -10V, IC=-20mA,f = 100MHz  
MHz  
pF  
nS  
nS  
nS  
nS  
VCB=-10V, IE=0,f=1MHz  
8.5  
15  
VCC=-30V, VBE=-2V,IC=-150mA ,  
IB1=-15mA  
Rise time  
tr  
20  
Storage time  
Fall time  
tS  
225  
30  
VCC=-30V, IC=-150mA  
B1=- IB2= -15mA  
tf  
http://www.lgesemi.com  
Revision:20170701-P1  
mail:lge@lgesemi.com  
123

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