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MMDT4401

更新时间： 2024-09-21 10:51:59

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强茂 - PANJIT		晶体开关晶体管光电二极管通用开关
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3页	132K
描述
DUAL NPN GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR

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MMDT4401 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-6
针数：	6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.26
最大集电极电流 (IC)：	0.6 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	6
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	250 MHz	最大关闭时间（toff）：	255 ns
最大开启时间（吨）：	35 ns	Base Number Matches：	1

MMDT4401 数据手册

MMDT4401

DUAL NPN GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR

POWER

200 mWatts

40 Volts

VOLTAGE

FEATURES

• NPN epitaxial silicon, planar design

• Collector-emitter voltage V_CE= 40V

• Collector current I_C= 600mA

• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives

MECHANICAL DATA

• Case: SOT-363, Plastic

• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026

• Approx. Weight: 0.006 gram

• Marking: M4A

Fig.54

ABSOLUTE RATINGS

PARAMETER

Symbol

Value

Units

Collector - Emitter Voltage

Collector - Base Voltage

Emitter - Base Voltage

CEO

CBO

EBO

6.0

600

Collector Current - Continuous

THERMALCHARACTERISTICS

PARAMETER

Symbol

Value

200

Units

Max Power Dissipation (Note 1)

PTOT

Thermal Resistance , Junction to Ambient

Junction Temperature

Rθ^JA

625

^OC/W

^OC

-55 to 150

Storage Temperature

TI^STG

^OC

Note 1: Transistor mounted on FR-4 board 1.0 x 0.85 x 0.062 in.

STAD-JUN.05.2006

PAGE . 1

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