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MMDT4401

更新时间： 2024-01-03 11:28:31

品牌	Logo	应用领域
银河微电 - BL Galaxy Electrical		晶体晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
3页	167K
描述
Dual NPN Small Signal Surface Mount Transistor

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MMDT4401 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.71
最大集电极电流 (IC)：	0.6 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	元件数量：	2
端子数量：	6	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	250 MHz	最大关闭时间（toff）：	255 ns
最大开启时间（吨）：	35 ns	Base Number Matches：	1

MMDT4401 数据手册

BL Galaxy Electrical

Production specification

Dual NPN Small Signal Surface Mount Transistor MMDT4401

FEATURES

Epitaxial planar die construction.

Lead-free

Ultra-small surface mount package.

APPLICATIONS

Dual NPN small signal surface mount transistor

SOT-363

ORDERING INFORMATION

Type No.

Marking

K2X

Package Code

SOT-23

MMDT4401

MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified

Symbol

Parameter

Value

Unit

Collector-Base Voltage

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current -Continuous

Power Dissipation

600

℃/W

℃

P_D

200

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Junction and Storage Temperature

R_θJA

T_j,T_stg

625

-55 to+150

Document number: BL/SSSTE005

Rev.A

www.galaxycn.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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MMDT4401-TP-HF	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, HALOGEN
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