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MBT3906DW1T3

更新时间： 2024-09-26 14:53:11
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
16页 328K
描述
200mA, 40V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SC-88, 6 PIN

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MBT3906DW1T3 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SC-88包装说明：SC-88, 6 PIN
针数：6Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.24
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：30
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHz最大关闭时间（toff）：300 ns
最大开启时间（吨）：70 nsBase Number Matches：1

MBT3906DW1T3 数据手册

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http://onsemi.com  
The MBT3904DW1T1, MBT3906DW1T1, and MBT3946DW1T1  
devices are spin–offs of our popular SOT–23/SOT–323 three–leaded  
devices. They are designed for general purpose amplifier applications  
and are housed in the SOT–363 six–leaded surface mount package. By  
putting two discrete devices in one package, these devices are ideal for  
low–power surface mount applications where board space is at a  
premium.  
6
5
4
1
2
3
SOT–363/SC–88  
CASE 419B  
STYLE 1  
• h , 100–300  
FE  
• Low V , ≤ 0.4 V  
CE(sat)  
• Simplifies Circuit Design  
• Reduces Board Space  
• Reduces Component Count  
(3)  
(2)  
(1)  
Q
Q
1
2
2
2
• Available in 8 mm, 7–inch/3,000 Unit Tape and Reel  
• Device Marking: MBT3904DW1T1 = MA  
MBT3906DW1T1 = A2  
(4)  
(3)  
(5)  
(6)  
(1)  
Q
MBT3946DW1T1 = 46  
MBT3904DW1T1  
(2)  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Collector–Emitter Voltage  
MBT3904DW1T1 (NPN)  
MBT3906DW1T1 (PNP)  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
Vdc  
Q
1
40  
–40  
Collector–Base Voltage  
MBT3904DW1T1 (NPN)  
MBT3906DW1T1 (PNP)  
Vdc  
Vdc  
mAdc  
V
(4)  
(3)  
(5)  
(6)  
(1)  
Q
60  
–40  
MBT3906DW1T1  
Emitter–Base Voltage  
MBT3904DW1T1 (NPN)  
MBT3906DW1T1 (PNP)  
(2)  
6.0  
–5.0  
Q
Collector Current — Continuous  
MBT3904DW1T1 (NPN)  
I
C
1
200  
MBT3906DW1T1 (PNP)  
–200  
(4)  
(5)  
(6)  
Electrostatic Discharge  
ESD  
HBM>16000,  
MM>2000  
MBT3946DW1T1*  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
*Q1 same as MBT3906DW1T1  
Q2 same as MBT3904DW1T1  
Symbol  
Max  
Unit  
(1)  
Total Package Dissipation  
P
D
150  
mW  
ORDERING INFORMATION  
T = 25°C  
A
Thermal Resistance Junction to  
Ambient  
R
833  
°C/W  
°C  
Device  
Package  
MBT3904DW1T1 SOT–363  
MBT3906DW1T1 SOT–363  
MBT3946DW1T1 SOT–363  
Shipping  
JA  
3000 Units/Reel  
3000 Units/Reel  
3000 Units/Reel  
Junction and Storage  
Temperature Range  
T , T  
J
–55 to +150  
stg  
1. Device mounted on FR4 glass epoxy printed circuit board using the minimum  
1. recommended footprint.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2000  
1
Publication Order Number:  
February, 2000 – Rev. 1  
MBT3904DW1T1/D  
1234567...16

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MBT3906DW1T3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FMB3904 ONSEMI

类似代替

 NPN多芯片通用放大器
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功能相似

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MBT3904DW1T1G ONSEMI

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 Dual General Purpose Transistors

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MBT3946DW WEITRON

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MBT3946DW1T1 MOTOROLA

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