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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MBT3904DW1T1G
MBT3904DW1T1G PDF预览

MBT3904DW1T1G

更新时间： 2024-09-25 22:30:23
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号双极晶体管光电二极管放大器PC
页数 文件大小 规格书
8页 109K
描述
Dual General Purpose Transistors

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MBT3904DW1T1G 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SC-70包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：1 week
风险等级：0.53Samacsys Confidence：3
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：225036
Samacsys Pin Count：6Samacsys Part Category：Integrated Circuit
Samacsys Package Category：SOT23 (6-Pin)Samacsys Footprint Name：SC-88(SOT-363) CASE 419B-02 ISSUE Y
Samacsys Released Date：2015-08-06 09:22:29Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：30
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.15 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：300 MHz
最大关闭时间（toff）：250 ns最大开启时间（吨）：70 ns
Base Number Matches：1

MBT3904DW1T1G 数据手册

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MBT3904DW1T1,  
MBT3904DW2T1  
Dual General Purpose  
Transistors  
The MBT3904DW1T1 and MBT3904DW2T1 devices are a  
spin−off of our popular SOT−23/SOT−323 three−leaded device. It is  
designed for general purpose amplifier applications and is housed in  
the SOT−363 six−leaded surface mount package. By putting two  
discrete devices in one package, this device is ideal for low−power  
surface mount applications where board space is at a premium.  
http://onsemi.com  
MARKING  
DIAGRAM  
6
Features  
SOT−363/SC−88/  
SC70−6  
CASE 419B  
d
XX  
6
• h , 100−300  
FE  
• Low V , ≤ 0.4 V  
CE(sat)  
1
1
• Simplifies Circuit Design  
• Reduces Board Space  
• Reduces Component Count  
• Available in 8 mm, 7−inch/3,000 Unit Tape and Reel  
• Pb−Free Packages are Available  
XX=MA for MBT3904DW1T1  
MJ for MBT3904DW2T1  
d
=Date Code  
(3)  
(2)  
(1)  
Q
MAXIMUM RATINGS  
Q
1
2
Rating  
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
Symbol  
Value  
40  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
mAdc  
V
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
60  
(4)  
(5)  
(6)  
6.0  
MBT3904DW1T1  
STYLE 1  
Collector Current − Continuous  
Electrostatic Discharge  
I
C
200  
ESD  
HBM>16000,  
MM>2000  
(3)  
(2)  
(1)  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
Q
2
Q
1
THERAML CHARACTERISTICS  
(4)  
(5)  
(6)  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
MBT3904DW2T1  
STYLE 27  
Total Package Dissipation (Note 1)  
P
D
150  
mW  
T = 25°C  
A
ORDERING INFORMATION  
Thermal Resistance,  
Junction−to−Ambient  
R
833  
°C/W  
°C  
q
JA  
†
Device  
Shipping  
Package  
MBT3904DW1T1  
3000 Units/Reel  
3000 Units/Reel  
SOT−363  
Junction and Storage  
Temperature Range  
T , T  
J
−55 to +150  
stg  
MBT3904DW1T1G  
SOT−363  
(Pb−Free)  
1. Device mounted on FR4 glass epoxy printed circuit board using the minimum  
recommended footprint.  
MBT3904DW2T1  
3000 Units/Reel  
3000 Units/Reel  
SOT−363  
MBT3904DW2T1G  
SOT−363  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2004  
1
Publication Order Number:  
September, 2004 − Rev. 4  
MBT3904DW1T1/D  
 
12345678

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MBT3904DW1T1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MBT3904DW1T1 ONSEMI

完全替代

 Dual General Purpose Transistors
MBT3904DW1T3G ONSEMI

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MBT3904DW2T1 ONSEMI

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 Dual General Purpose Transistors

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MBT3904DW1T2 ONSEMI

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 		200mA, 40V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SC-88, 6 PIN
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