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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.76 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.2 A | 基于收集器的最大容量： | 4 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 40 V | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 6 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN AND PNP | 功耗环境最大值： | 0.15 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 300 MHz | 最大关闭时间（toff）： | 250 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 70 ns | VCEsat-Max： | 0.3 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MBT3946DW1T2G | ONSEMI |
获取价格 |
Dual General Purpose Transistor |
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| MBT5010 | IRI |
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BRIDGE RECTIFIER |
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| MBT5012 | IRI |
获取价格 |
BRIDGE RECTIFIER |
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| MBT5014 | IRI |
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BRIDGE RECTIFIER |
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| MBT5016 | IRI |
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BRIDGE RECTIFIER |
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| MBT5401 | ETC |
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SILICON P-N-P HIGH-VOLTAGE TRANSISTOR |
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| MBT5SS | ETC |
获取价格 |
Features & Benefits |
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| MBT6429DW1T1 | ONSEMI |
获取价格 |
Amplifier Transistors |
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| MBT6429DW1T1_05 | ONSEMI |
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Amplifier Transistors NPN Silicon |
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| MBT6429DW1T1G | ONSEMI |
获取价格 |
Amplifier Transistors |
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