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MBT3946DW1T1

更新时间： 2024-01-01 17:15:32

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乐山 - LRC		晶体晶体管
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Dual General Purpose Transistors

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MBT3946DW1T1 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	SC-88	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	0.56	Samacsys Confidence：	3
Samacsys Status：	Released	Samacsys PartID：	225039
Samacsys Pin Count：	6	Samacsys Part Category：	Transistor
Samacsys Package Category：	SOT23 (6-Pin)	Samacsys Footprint Name：	SC-88(SOT-363) CASE 419B-02
Samacsys Released Date：	2015-08-06 07:56:45	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.2 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	6	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN AND PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	300 MHz
最大关闭时间（toff）：	250 ns	最大开启时间（吨）：	70 ns
Base Number Matches：	1

MBT3946DW1T1 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

Dual General Purpose Transistors

MBT3904DW1T1

MBT3906DW1T1

MBT3946DW1T1

The MBT3904DW1T1, MBT3906DW1T1, and MBT3946DW1T1 devices are

spin–offs of our popular SOT–23/SOT–323 three–leaded devices. They are designed

for general purpose amplifier applications and are housed in the SOT–363 six–leaded

surface mount package. By putting two discrete devices in one package, these devices

are ideal for low–power surface mount applications where board space is at a premium.

• h _FE, 100–300

• Low V_CE(sat), 3 0.4 V

• Simplifies Circuit Design

• Reduces Board Space

See Table

• Reduces Component Count

• Available in 8 mm, 7–inch/3,000 Unit Tape and Reel

SOT–363/SC–88

CASE 419B STYLE 1

Q₂

Q₁

MBT3946DW1T1

MBT3904DW1T1

MAXIMUM RATINGS

MBT3906DW1T1

*Q ₁same as MBT3906DW1T1

Q ₂same as MBT3904DW1T1

Rating

Symbol

Voltage

Unit

Collector–Emitter Voltage

V _CEO

MBT3904DW1T1 (NPN)

MBT3906DW1T1 (PNP)

Collector–Base Voltage

MBT3904DW1T1 (NPN)

MBT3906DW1T1 (PNP)

Emitter–Base Voltage

–40

V _CBO

V _EBO

I _C

–40

MBT3904DW1T1 (NPN)

MBT3906DW1T1 (PNP)

6.0

–5.0

Collector Current

-Continuous

mAdc

MBT3904DW1T1 (NPN)

MBT3906DW1T1 (PNP)

Electrostatic Discharge

200

–200

ESD

HBM>16000,

MM>2000

THERMAL CHARACTERISTICS

ORDERING INFORMATION

Device

Package

SOT–363

Shipping

Characteristic

Symbol

Max

Unit

MBT3904DW1T1

MBT3906DW1T1

MBT3946DW1T1

3000 Units/Reel

Total Device Dissipation(1)

T_A= 25°C

P _D

150

Thermal Resistance,

Junction to Ambient

Junction and Storage

Temperature

R _θJA

833

°C/W

°C

T _J, T _stg

–55 to +150

1. Device mounted on FR4 glass epoxy printed circuit board using the minimum recommended footprint.

MBT3904–1/12

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MBT3946DW1T1G	ONSEMI	获取价格	Dual General Purpose Transistor
MBT3946DW1T2	ONSEMI	获取价格	Dual General Purpose Transistor
MBT3946DW1T2	MOTOROLA	获取价格	200mA, 40V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MBT3946DW1T2G	ONSEMI	获取价格	Dual General Purpose Transistor
MBT5010	IRI	获取价格	BRIDGE RECTIFIER
MBT5012	IRI	获取价格	BRIDGE RECTIFIER
MBT5014	IRI	获取价格	BRIDGE RECTIFIER
MBT5016	IRI	获取价格	BRIDGE RECTIFIER
MBT5401	ETC	获取价格	SILICON P-N-P HIGH-VOLTAGE TRANSISTOR
MBT5SS	ETC	获取价格	Features & Benefits

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