5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > MBT3906DW1T2
MBT3906DW1T2 PDF预览

MBT3906DW1T2

更新时间： 2024-11-14 15:40:55
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
30页 471K
描述
200mA, 40V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SC-88, 6 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

MBT3906DW1T2 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SC-88
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.26最大集电极电流 (IC)：0.2 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：30JESD-30 代码：R-PDSO-G6
元件数量：2端子数量：6
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHz最大关闭时间（toff）：300 ns
最大开启时间（吨）：70 nsBase Number Matches：1

MBT3906DW1T2 数据手册

 浏览型号MBT3906DW1T2的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MBT3906DW1T2的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MBT3906DW1T2的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MBT3906DW1T2的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MBT3906DW1T2的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MBT3906DW1T2的Datasheet PDF文件第7页 
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
The MBT3904DW1T1, MBT3906DW1T1, and MBT3946DW1T1 devices are  
spin–offs of our popular SOT–23/SOT–323 three–leaded devices. They are designed  
for general purpose amplifier applications and are housed in the SOT–363 six–leaded  
surface mount package. By putting two discrete devices in one package, these  
devices are ideal for low–power surface mount applications where board space is at  
a premium.  
MBT3904DW1T1  
MBT3906DW1T1  
MBT3946DW1T1  
•
•
•
•
•
•
h
, 100–300  
FE  
Low V  
, ≤ 0.4 V  
CE(sat)  
6
5
4
Simplifies Circuit Design  
Reduces Board Space  
1
2
3
Reduces Component Count  
Available in 8 mm, 7–inch/3,000 Unit Tape and Reel  
CASE 419B–01, STYLE 1  
MBT3904DW1T1  
(3)  
(2)  
(1)  
MAXIMUM RATINGS  
Q
Q
2
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
1
Collector–Emitter Voltage MBT3904DW1T1 (NPN)  
MBT3906DW1T1 (PNP)  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
40  
–40  
Vdc  
(4)  
(3)  
(5)  
(6)  
(1)  
Collector–Base Voltage  
MBT3904DW1T1 (NPN)  
MBT3906DW1T1 (PNP)  
60  
–40  
Vdc  
Vdc  
MBT3906DW1T1  
Emitter–Base Voltage  
MBT3904DW1T1 (NPN)  
MBT3906DW1T1 (PNP)  
6.0  
–5.0  
(2)  
Collector Current — Continuous  
MBT3904DW1T1 (NPN)  
MBT3906DW1T1 (PNP)  
I
C
mAdc  
200  
–200  
Q
Q
2
1
THERMAL CHARACTERISTICS  
(4)  
(5)  
(6)  
(1)  
Characteristic  
(1)  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Package Dissipation  
= 25°C  
P
D
150  
mW  
T
A
MBT3946DW1T1*  
Thermal Resistance Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
R
833  
°C/W  
°C  
(3)  
(2)  
JA  
T , T  
J stg  
–55 to  
+150  
Q
Q
2
1
1. Device mounted on FR4 glass epoxy printed circuit board using the minimum  
1. recommended footprint.  
DEVICE MARKING  
(4)  
(5)  
(6)  
MBT3904DW1T1 = MA MBT3946DW1T1 = 46  
MBT3906DW1T1 = A2  
*Q1 same as MBT3906DW1T1  
Q2 same as MBT3904DW1T1  
2–286  
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data  
1234567...30

中文翻译

下载PDF

与MBT3906DW1T2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MBT3906DW1T2G ONSEMI

获取价格

 		Dual General Purpose Transistor
MBT3906DW1T3 ONSEMI

获取价格

 		200mA, 40V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SC-88, 6 PIN
MBT3946DW WEITRON

获取价格

 		Dual General Purpose Transistor NPN+PNP Silicon
MBT3946DW1T1 MOTOROLA

获取价格

 		200mA, 40V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MBT3946DW1T1 ETL

获取价格

 		Dual General Purpose Transistors
MBT3946DW1T1 ONSEMI

获取价格

 		Dual General Purpose Transistor
MBT3946DW1T1 LRC

获取价格

 		Dual General Purpose Transistors
MBT3946DW1T1G ONSEMI

获取价格

 		Dual General Purpose Transistor
MBT3946DW1T2 ONSEMI

获取价格

 		Dual General Purpose Transistor
MBT3946DW1T2 MOTOROLA

获取价格

 		200mA, 40V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

与MBT3906DW1T2相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证