Datasheet > MBT3906DW

MBT3906DW

更新时间： 2024-09-26 03:50:11

品牌	Logo	应用领域
WEITRON		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	351K
描述
Dual General Purpose Transistor PNP+PNP Silicon

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MBT3906DW 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	最大集电极电流 (IC)：	0.2 A
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JESD-609代码：	e0
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN/PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W	子类别：	BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)：	250 MHz	Base Number Matches：	1

MBT3906DW 数据手册

MBT3906DW

Dual General Purpose Transistor

PNP+PNP Silicon

P b

Lead(Pb)-Free

SOT-363(SC-88)

PNP+PNP

Maximum Ratings

Rating

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Symbol

Value

-40

Unit

Vdc

CEO

CBO

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

-5.0

-200

Vdc

mAdc

EBO

Thermal Characteristics

Characteristics

Symbol

Max

Unit

(1)

Total Device Dissipation TA=25 C

150

C/W

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Junction and Storage,Temperature

833

J,Tstg

-55 to +150

Device Marking

MBT3906DW=A2

(TA=25 C Unless Otherwise noted)

Electrical Characteristics

Characteristics

Symbol

Unit

Min

Max

Off Characteristics

(2)

Collector-Emitter Breakdown Voltage (I =-1.0mAdc.IB=0)

V(BR)CEO

V(BR)CBO

-40

Vdc

Collector-Base Breakdown Voltage (IC=-10 uAdc, IE=0)

Emitter-Base Breakdown Voltage (IE=-10 uAdc, IC=0)

Vdc

V(BR)EBO

IBL

-5.0

-50

Base Cutoff Current (VCE=-30 Vdc,VEB =-3.0 Vdc)

Collector Cutoff Current (VCE=-30Vdc,VEB=-3.0Vdc)

nAdc

ICEX

1.Decice Mounted on FR4 glass epoxy printed circuit board using the minimun recommended foot print.

2.Pulse Test:Pluse Width 300 µS, Duty Cycle 2.0%.

WEITRON

http://www.weitron.com.tw

27-Sep-05

1/6

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与MBT3906DW相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MBT3906DW1	ONSEMI	获取价格	Dual General Purpose Transistor
MBT3906DW1_13	ONSEMI	获取价格	Dual General Purpose Transistor
MBT3906DW1T1	ETL	获取价格	Dual General Purpose Transistors
MBT3906DW1T1	LRC	获取价格	Dual General Purpose Transistors
MBT3906DW1T1	ONSEMI	获取价格	Dual General Purpose Transistor
MBT3906DW1T1	MOTOROLA	获取价格	200mA, 40V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MBT3906DW1T1G	ONSEMI	获取价格	Dual General Purpose Transistor
MBT3906DW1T1G_09	ONSEMI	获取价格	Dual General Purpose Transistor
MBT3906DW1T2	ONSEMI	获取价格	200mA, 40V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SC-88, 6 PIN
MBT3906DW1T2	MOTOROLA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon