MBT3904DW-G

更新时间： 2024-09-26 12:59:35

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WEITRON		晶体晶体管
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7页	239K
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Transistor

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MBT3904DW-G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.61	最大集电极电流 (IC)：	0.2 A
最小直流电流增益 (hFE)：	30	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
标称过渡频率 (fT)：	300 MHz	Base Number Matches：	1

MBT3904DW-G 数据手册

MBT3904DW

Dual General Purpose Transistor

NPN+NPN Silicon

SOT-363(SC-88)

NPN+NPN

Maximum Ratings

Rating

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Symbol

Value

Unit

Vdc

CEO

CBO

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

6.0

200

Vdc

mAdc

EBO

Thermal Characteristics

Characteristics

Symbol

Max

Unit

Total Device Dissipation TA=25 C

C/W

150

833

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Junction and Storage,Temperature

J,Tstg

-55 to +150

Device Marking

MBT3904DW=MA

(TA=25 C Unless Otherwise noted)

Electrical Characteristics

Characteristics

Symbol

Unit

Min

Max

Off C haracteristics

(2)

Collector-Emitter Breakdown Voltage (I =1.0mAdc.IB=0)

V(BR)CEO

V(BR)CBO

Vdc

Collector-Base Breakdown Voltage (IC=10 uAdc, IE=0)

Emitter-Base Breakdown Voltage (IE=10 uAdc, IC=0)

Vdc

V(BR)EBO

IBL

6.0

Base Cutoff Current (VCE=30 Vdc,VEB =3.0 Vdc)

nAdc

Collector Cutoff Current (VCE=30Vdc,VEB=3.0Vdc)

ICEX

1. Device Mounted FR4 glass epoxy printed circuit board using the minimun recommended footprint.

2. Pulse Test:Pulse Width 300uS, Duty Cycle 2.0%

WEITRON

http://www.weitron.com.tw

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