是否无铅: | 含铅 | 生命周期: | End Of Life |
零件包装代码: | SC-88 | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
针数: | 6 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.21 |
最大集电极电流 (IC): | 0.2 A | 集电极-发射极最大电压: | 40 V |
配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS | 最小直流电流增益 (hFE): | 30 |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G6 | JESD-609代码: | e0 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 2 |
端子数量: | 6 | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 240 | 极性/信道类型: | NPN |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 300 MHz |
最大关闭时间(toff): | 250 ns | 最大开启时间(吨): | 70 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
MBT3904DW1T3G | ONSEMI |
完全替代 |
双 NPN 双极晶体管 | |
MBT3904DW1T1G | ONSEMI |
完全替代 |
Dual General Purpose Transistors | |
SMBT3904S | INFINEON |
类似代替 |
NPN Silicon Switching Transistor Array |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MBT3904DW1T1_05 | ONSEMI |
获取价格 |
Dual General Purpose Transistors | |
MBT3904DW1T1G | ONSEMI |
获取价格 |
Dual General Purpose Transistors | |
MBT3904DW1T2 | ONSEMI |
获取价格 |
200mA, 40V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SC-88, 6 PIN | |
MBT3904DW1T3 | ONSEMI |
获取价格 |
双 NPN 双极晶体管 | |
MBT3904DW1T3G | ONSEMI |
获取价格 |
双 NPN 双极晶体管 | |
MBT3904DW2 | ONSEMI |
获取价格 |
Dual General Purpose Transistors | |
MBT3904DW2T1 | ONSEMI |
获取价格 |
Dual General Purpose Transistors | |
MBT3904DW2T1G | ONSEMI |
获取价格 |
Dual General Purpose Transistors | |
MBT3904DW-G | WEITRON |
获取价格 |
Transistor | |
MBT3906DW | WEITRON |
获取价格 |
Dual General Purpose Transistor PNP+PNP Silicon |