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MBT3904DW1T2

更新时间： 2024-11-14 14:53:11
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
30页 471K
描述
200mA, 40V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SC-88, 6 PIN

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MBT3904DW1T2 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SC-88
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.18Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：30
JESD-30 代码：R-PDSO-G6元件数量：2
端子数量：6封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：300 MHz
最大关闭时间（toff）：250 ns最大开启时间（吨）：70 ns
Base Number Matches：1

MBT3904DW1T2 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
The MBT3904DW1T1, MBT3906DW1T1, and MBT3946DW1T1 devices are  
spin–offs of our popular SOT–23/SOT–323 three–leaded devices. They are designed  
for general purpose amplifier applications and are housed in the SOT–363 six–leaded  
surface mount package. By putting two discrete devices in one package, these  
devices are ideal for low–power surface mount applications where board space is at  
a premium.  
MBT3904DW1T1  
MBT3906DW1T1  
MBT3946DW1T1  
•
•
•
•
•
•
h
, 100–300  
FE  
Low V  
, ≤ 0.4 V  
CE(sat)  
6
5
4
Simplifies Circuit Design  
Reduces Board Space  
1
2
3
Reduces Component Count  
Available in 8 mm, 7–inch/3,000 Unit Tape and Reel  
CASE 419B–01, STYLE 1  
MBT3904DW1T1  
(3)  
(2)  
(1)  
MAXIMUM RATINGS  
Q
Q
2
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
1
Collector–Emitter Voltage MBT3904DW1T1 (NPN)  
MBT3906DW1T1 (PNP)  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
40  
–40  
Vdc  
(4)  
(3)  
(5)  
(6)  
(1)  
Collector–Base Voltage  
MBT3904DW1T1 (NPN)  
MBT3906DW1T1 (PNP)  
60  
–40  
Vdc  
Vdc  
MBT3906DW1T1  
Emitter–Base Voltage  
MBT3904DW1T1 (NPN)  
MBT3906DW1T1 (PNP)  
6.0  
–5.0  
(2)  
Collector Current — Continuous  
MBT3904DW1T1 (NPN)  
MBT3906DW1T1 (PNP)  
I
C
mAdc  
200  
–200  
Q
Q
2
1
THERMAL CHARACTERISTICS  
(4)  
(5)  
(6)  
(1)  
Characteristic  
(1)  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Package Dissipation  
= 25°C  
P
D
150  
mW  
T
A
MBT3946DW1T1*  
Thermal Resistance Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
R
833  
°C/W  
°C  
(3)  
(2)  
JA  
T , T  
J stg  
–55 to  
+150  
Q
Q
2
1
1. Device mounted on FR4 glass epoxy printed circuit board using the minimum  
1. recommended footprint.  
DEVICE MARKING  
(4)  
(5)  
(6)  
MBT3904DW1T1 = MA MBT3946DW1T1 = 46  
MBT3906DW1T1 = A2  
*Q1 same as MBT3906DW1T1  
Q2 same as MBT3904DW1T1  
2–286  
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data  
1234567...30

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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