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MBT3904DW1T1

更新时间： 2024-11-14 20:18:47

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摩托罗拉 - MOTOROLA		/
页数	文件大小	规格书
12页	277K
描述
200mA, 40V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

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MBT3904DW1T1 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.17	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.2 A	基于收集器的最大容量：	4 pF
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
JESD-609代码：	e0	元件数量：	2
端子数量：	6	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	0.15 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	300 MHz	最大关闭时间（toff）：	250 ns
最大开启时间（吨）：	70 ns	VCEsat-Max：	0.3 V
Base Number Matches：	1

MBT3904DW1T1 数据手册

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by MBT3904DW1T1/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

The MBT3904DW1T1, MBT3906DW1T1, and MBT3946DW1T1 devices are

spin–offs of our popular SOT–23/SOT–323 three–leaded devices. They are designed

for general purpose amplifier applications and are housed in the SOT–363 six–leaded

surface mount package. By putting two discrete devices in one package, these

devices are ideal for low–power surface mount applications where board space is at

a premium.

MBT3904DW1T1

MBT3906DW1T1

MBT3946DW1T1

•

, 100–300

Low V

, ≤ 0.4 V

CE(sat)

Simplifies Circuit Design

Reduces Board Space

Reduces Component Count

Available in 8 mm, 7–inch/3,000 Unit Tape and Reel

CASE 419B–01, STYLE 1

MBT3904DW1T1

(3)

(2)

(1)

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

(4)

(5)

(6)

(1)

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

MBT3904DW1T1 (NPN)

MBT3906DW1T1 (PNP)

CEO

CBO

EBO

–40

Vdc

MBT3906DW1T1

MBT3904DW1T1 (NPN)

MBT3906DW1T1 (PNP)

–40

Vdc

(3)

(2)

MBT3904DW1T1 (NPN)

MBT3906DW1T1 (PNP)

6.0

–5.0

Collector Current — Continuous

MBT3904DW1T1 (NPN)

MBT3906DW1T1 (PNP)

mAdc

200

–200

(4)

(5)

(6)

(1)

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

MBT3946DW1T1*

(1)

Total Package Dissipation

= 25°C

150

(3)

(2)

Thermal Resistance Junction to Ambient

Junction and Storage Temperature

833

°C/W

°C

T , T

J stg

–55 to

+150

1. Device mounted on FR4 glass epoxy printed circuit board using the minimum

1. recommended footprint.

(4)

(5)

(6)

DEVICE MARKING

*Q1 same as MBT3906DW1T1

Q2 same as MBT3904DW1T1

MBT3904DW1T1 = MA MBT3946DW1T1 = 46

MBT3906DW1T1 = A2

Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company.

M^Mot^oo^tor^ro^ol^la^a,S^Inm^c.a¹⁹ll⁹–⁶Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MBT3904DW1T1_05	ONSEMI	获取价格	Dual General Purpose Transistors
MBT3904DW1T1G	ONSEMI	获取价格	Dual General Purpose Transistors
MBT3904DW1T2	ONSEMI	获取价格	200mA, 40V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SC-88, 6 PIN
MBT3904DW1T3	ONSEMI	获取价格	双 NPN 双极晶体管
MBT3904DW1T3G	ONSEMI	获取价格	双 NPN 双极晶体管
MBT3904DW2	ONSEMI	获取价格	Dual General Purpose Transistors
MBT3904DW2T1	ONSEMI	获取价格	Dual General Purpose Transistors
MBT3904DW2T1G	ONSEMI	获取价格	Dual General Purpose Transistors
MBT3904DW-G	WEITRON	获取价格	Transistor
MBT3906DW	WEITRON	获取价格	Dual General Purpose Transistor PNP+PNP Silicon

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