生命周期: | Transferred | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.17 | Is Samacsys: | N |
最大集电极电流 (IC): | 0.2 A | 基于收集器的最大容量: | 4 pF |
集电极-发射极最大电压: | 40 V | 配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
最小直流电流增益 (hFE): | 30 | JESD-30 代码: | R-PDSO-G6 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 2 |
端子数量: | 6 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型: | NPN |
功耗环境最大值: | 0.15 W | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
晶体管应用: | AMPLIFIER | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 300 MHz | 最大关闭时间(toff): | 250 ns |
最大开启时间(吨): | 70 ns | VCEsat-Max: | 0.3 V |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MBT3904DW1T1_05 | ONSEMI |
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Dual General Purpose Transistors | |
MBT3904DW1T1G | ONSEMI |
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Dual General Purpose Transistors | |
MBT3904DW1T2 | ONSEMI |
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200mA, 40V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SC-88, 6 PIN | |
MBT3904DW1T3 | ONSEMI |
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双 NPN 双极晶体管 | |
MBT3904DW1T3G | ONSEMI |
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双 NPN 双极晶体管 | |
MBT3904DW2 | ONSEMI |
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Dual General Purpose Transistors | |
MBT3904DW2T1 | ONSEMI |
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Dual General Purpose Transistors | |
MBT3904DW2T1G | ONSEMI |
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Dual General Purpose Transistors | |
MBT3904DW-G | WEITRON |
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Transistor | |
MBT3906DW | WEITRON |
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Dual General Purpose Transistor PNP+PNP Silicon |