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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSOP |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | 针数： | 6 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.51 | 最大集电极电流 (IC)： | 2 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 35 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 |
| JESD-609代码： | e0 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 6 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.75 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn80Pb20) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| MBT35200MT1G | ONSEMI |
类似代替  |
High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Load Management in Portabl |
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| PBSS5350D,115 | NXP |
功能相似 |
PBSS5350D - 50 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor TSOP 6-Pin |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MBT35200MT1_05 | ONSEMI |
获取价格 |
High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Load Management in Portabl |
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| MBT35200MT1G | ONSEMI |
获取价格 |
High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Load Management in Portabl |
|
| MBT3904DW | ETL |
获取价格 |
Dual General Purpose Transistors |
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| MBT3904DW | WEITRON |
获取价格 |
Dual General Purpose Transistor NPN+NPN Silicon |
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| MBT3904DW1 | ONSEMI |
获取价格 |
Dual General Purpose Transistors |
|
| MBT3904DW1T1 | ETL |
获取价格 |
Dual General Purpose Transistors |
|
| MBT3904DW1T1 | LRC |
获取价格 |
Dual General Purpose Transistors |
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| MBT3904DW1T1 | ONSEMI |
获取价格 |
Dual General Purpose Transistors |
|
| MBT3904DW1T1 | MOTOROLA |
获取价格 |
200mA, 40V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| MBT3904DW1T1_05 | ONSEMI |
获取价格 |
Dual General Purpose Transistors |
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