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JDV2S07FS

更新时间: 2024-10-30 03:21:59
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 二极管变容二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 149K
描述
VCO for UHF Band Radio

JDV2S07FS 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Active
零件包装代码:SOD包装说明:R-PDSO-F2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.7Is Samacsys:N
配置:SINGLE二极管电容容差:10.11%
最小二极管电容比:2标称二极管电容:4.5 pF
二极管元件材料:SILICON二极管类型:VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带:ULTRA HIGH FREQUENCYJESD-30 代码:R-PDSO-F2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:10 V子类别:Varactors
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

JDV2S07FS 数据手册

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JDV2S07FS  
TOSHIBA DIODE Silicon Epitaxial Planar Type  
JDV2S07FS  
VCO for UHF Band Radio  
Unit: mm  
High Capacitance Ratio: C /C = 2.3 (typ.)  
1V 4V  
0.6±0.05  
Low Series Resistance : r = 0.42 (typ.)  
s
A
This device is suitable for use in a small-size tuner.  
Maximum Ratings  
=
(Ta 25°C)  
Characteristics  
Reverse voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
0.2  
±0.05  
0.1±0.05  
M
0.07  
A
V
10  
150  
V
R
Junction temperature  
T
j
°C  
°C  
+0.02  
0.48  
-0.03  
Storage temperature range  
T
stg  
55~150  
JEDEC  
JEITA  
TOSHIBA  
1-1L1A  
Weight: 0.0006 g (typ.)  
Electrical Characteristics  
=
(Ta 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
Reverse voltage  
Reverse current  
V
I
= 1 µA  
R
10  
3
V
R
I
C
C
V
V
V
= 10 V  
nA  
R
R
R
R
= 1 V, f = 1 MHz  
= 4 V, f = 1 MHz  
4.0  
1.85  
2.0  
4.5  
2.0  
2.3  
0.42  
4.9  
2.35  
1V  
4V  
Capacitance  
pF  
Capacitance ratio  
Series resistance  
C
/C  
1V 4V  
r
s
V
= 1 V, f = 470 MHz  
0.55  
R
Note: Signal level when capacitance is measured: V = 500 mVrms  
sig  
Marking  
D
1
2004-02-09  

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型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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