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JDV2S08S

更新时间： 2024-09-26 22:16:47

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东芝 - TOSHIBA		/
页数	文件大小	规格书
3页	92K
描述
VCO for UHF Band Radio

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JDV2S08S 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.83	配置：	SINGLE
二极管电容容差：	5.46%	最小二极管电容比：	2.8
标称二极管电容：	18.3 pF	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	VARIABLE CAPACITANCE DIODE	频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	10 V
子类别：	Varactors	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

JDV2S08S 数据手册

JDV2S08S

TOSHIBA DIODE Silicon Epitaxial Planar Type

JDV2S08S

VCO for UHF Band Radio

Unit: mm

High Capacitance Ratio: C /C = 3.0 (typ.)

1V 4V

Low Series Resistance : r = 0.35 Ω (typ.)

This device is suitable for use in a small-size tuner.

Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

Reverse voltage

150

Junction temperature

Storage temperature range

°C

-55~150

stg

JEDEC

JEITA

―

TOSHIBA

1-1K1A

Weight: 0.0011 g (typ.)

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Characteristics

Reverse voltage

Symbol

Test Condition

Min

Typ.

Max

Unit

= 1 mA

Reverse current

= 10 V

= 1 V, f = 1 MHz

= 4 V, f = 1 MHz

17.3

5.3

2.8

18.3

6.1

19.3

6.6

Capacitance

Capacitance ratio

Series resistance

C /C

1V 4V

= 1 V, f = 470 MHz

0.35

0.45

Note: Signal level when capacitance is measured: V = 500 mVrms

sig

Marking

2002-01-23

12 3

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