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JDV2S19FS

更新时间： 2023-12-18 00:00:00

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		光电二极管
页数	文件大小	规格书
2页	206K
描述
DIODE UHF BAND, 3.665 pF, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, 1-1L1A, FSC, 2 PIN, Variable Capacitance Diode

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JDV2S19FS 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SOD
包装说明：	R-PDSO-F2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.74
配置：	SINGLE	二极管电容容差：	5.59%
最小二极管电容比：	1.74	标称二极管电容：	3.665 pF
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY	JESD-30 代码：	R-PDSO-F2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	10 V	子类别：	Varactors
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

JDV2S19FS 数据手册

JDV2S19FS

TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type

JDV2S19FS

VCO for the UHF band

Unit: mm

•

High capacitance ratio: C /C = 1.82 (typ.)

1V 4V

0.6±0.05

Low series resistance: r = 0.35 Ω (typ.)

This device is suitable for use in a small-size tuner.

Maximum Ratings

(Ta 25°C)

Characteristic

Symbol

Rating

Unit

0.2

±0.05

0.1±0.05

0.07

Reverse voltage

150

Junction temperature

°C

+0.02

-0.03

0.48

Storage temperature range

stg

−55~150

fSC

JEDEC

JEITA

―

TOSHIBA

1-1L1A

Weight: 0.0006 g (typ.)

Electrical Characteristics

(Ta 25°C)

Characteristic

Symbol

Test Condition

Min

Typ.

Max

Unit

Reverse voltage

Reverse current

= 1 µA

⎯

= 10 V

= 1 V, f = 1 MHz

= 4 V, f = 1 MHz

⎯

3.46

1.83

1.74

⎯

3.87

2.13

1.91

0.47

Capacitance

⎯

Capacitance ratio

Series resistance

1V 4V

⎯

Ω

= 1 V, f = 470 MHz

0.35

Note: Signal level when capacitance is measured: V = 100 mVrms

sig

Marking

2005-08-01

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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JDV2S28FS	TOSHIBA	获取价格	Silicon Epitaxial Planar Type
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