JDV2S17S

更新时间： 2024-09-28 12:33:19

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东芝 - TOSHIBA		二极管变容二极管光电二极管
页数	文件大小	规格书
3页	142K
描述
VCO for UHF Band Radio

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JDV2S17S 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOD
包装说明：	R-PDSO-F2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管电容容差：	6.35%	最小二极管电容比：	2
标称二极管电容：	1.89 pF	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	VARIABLE CAPACITANCE DIODE	频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	10 V
子类别：	Varactors	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

JDV2S17S 数据手册

JDV2S17S

TOSHIBA DIODE Silicon Epitaxial Planar Type

JDV2S17S

VCO for UHF Band Radio

Unit: mm

•

High Capacitance Ratio: C1 /C4 = 2.1 (typ.)

V V

Low Series Resistance : r = 0.6 Ω (typ.)

This device is suitable for use in a small-size tuner.

Maximum Ratings

(Ta 25°C)

Characteristics

Reverse voltage

Symbol

Rating

Unit

150

Junction temperature

°C

Storage temperature range

stg

−55~150

JEDEC

JEITA

―

TOSHIBA

1-1K1A

Weight: 0.0011 g (typ.)

Electrical Characteristics

(Ta 25°C)

Characteristics

Symbol

Test Condition

Min

Typ.

Max

Unit

Reverse voltage

Reverse current

= 1 µA

⎯

= 10 V

= 1 V, f = 1 MHz

= 4 V, f = 1 MHz

⎯

1.77

0.8

⎯

2.01

1.0

2.2

0.75

Capacitance

⎯

Capacitance ratio

Series resistance

C1 /C4

⎯

Ω

= 1 V, f = 470 MHz

⎯

0.6

Note: Signal level when capacitance is measured: V = 100 mVrms

sig

Marking

Ｊ

2004-02-09

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JDV2S19FS	TOSHIBA	获取价格	DIODE UHF BAND, 3.665 pF, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, 1-1L1A, FSC, 2 PIN, Variabl
JDV2S19S	TOSHIBA	获取价格	TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type
JDV2S22FS	TOSHIBA	获取价格	Silicon Epitaxial Planar Type
JDV2S25FS	TOSHIBA	获取价格	Silicon Epitaxial Planar Type
JDV2S25SC	TOSHIBA	获取价格	DIODE UHF BAND, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, LEAD FREE, SC2, 1-1R1A, 2 PIN, Variab
JDV2S26FS	TOSHIBA	获取价格	Silicon Epitaxial Planar Type
JDV2S26SC	TOSHIBA	获取价格	DIODE UHF BAND, 15.81 pF, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, LEAD FREE, ULTRA SMALL, SC2
JDV2S27FS	TOSHIBA	获取价格	DIODE UHF BAND, 8.31 pF, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, LEAD FREE, FSC, 1-1L1A, 2 PI
JDV2S27SC	TOSHIBA	获取价格	DIODE UHF BAND, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, LEAD FREE, SC2, 1-1R1A, 2 PIN, Variab
JDV2S28FS	TOSHIBA	获取价格	Silicon Epitaxial Planar Type