JDV2S09FS

更新时间： 2024-02-12 05:28:18

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东芝 - TOSHIBA		二极管变容二极管光电二极管
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描述
VCO for UHF band

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JDV2S09FS 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	1-1K1A, 2 PIN
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.72	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	二极管电容容差：	6.73%
最小二极管电容比：	1.8	标称二极管电容：	10.4 pF
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY	JESD-30 代码：	R-PDSO-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

JDV2S09FS 数据手册

JDV2S09FS

TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type

JDV2S09FS

VCO for UHF band

Unit: mm

•

High capacitance ratio: C /C = 2.1 (typ.)

1V 4V

0.6±0.05

Low series resistance: r = 0.33 Ω (typ.)

This device is suitable for use in a small-size tuner.

Maximum Ratings

(Ta 25°C)

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

0.2

±0.05

0.1±0.05

0.07

Reverse voltage

150

Junction temperature

°C

+0.02

-0.03

0.48

Storage temperature range

stg

−55~150

JEDEC

JEITA

―

TOSHIBA

1-1L1A

Weight: 0.0006 g (typ.)

Electrical Characteristics

(Ta 25°C)

Characteristics

Symbol

Test Condition

Min

Typ.

Max

Unit

Reverse voltage

Reverse current

= 1 µA

⎯

= 10 V

= 1 V, f = 1 MHz

= 4 V, f = 1 MHz

⎯

9.7

4.45

1.8

⎯

11.1

5.45

⎯

Capacitance

⎯

Capacitance ratio

Series resistance

1V 4V

2.1

0.33

⎯

Ω

= 1 V, f = 470 MHz

0.45

Note: Signal level when capacitance is measured. V = 500 mVrms

sig

Marking

2004-02-09

12 3

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