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Datasheet > 二极管 > 变容二极管> JDV2S13S
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JDV2S13S

更新时间： 2024-01-18 23:16:52
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 二极管变容二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 104K
描述
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type

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JDV2S13S 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOD
包装说明：SESC, 1-1K1A, 2 PIN针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.84
Is Samacsys：N配置：SINGLE
二极管电容容差：8.06%最小二极管电容比：2.7
标称二极管电容：6.2 pF二极管元件材料：SILICON
二极管类型：VARIABLE CAPACITANCE DIODE频带：ULTRA HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码：R-PDSO-F2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：FLAT
端子位置：DUALBase Number Matches：1

JDV2S13S 数据手册

 浏览型号JDV2S13S的Datasheet PDF文件第2页浏览型号JDV2S13S的Datasheet PDF文件第3页 
JDV2S13S  
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type  
JDV2S13S  
VCO for UHF Band Radio  
Unit: mm  
•
•
•
High capacitance ratio: C /C = 2.8 (typ.)  
1V 4V  
Low series resistance: r = 0.55 Ω (typ.)  
s
This device is suitable for use in a small-size tuner.  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Reverse voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
10  
150  
V
R
Junction temperature  
T
j
°C  
°C  
Storage temperature range  
T
stg  
−55~150  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the  
absolute maximum ratings.  
JEDEC  
JEITA  
―
―
Please design the appropriate reliability upon reviewing the  
Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling  
Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual  
reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate,  
etc).  
TOSHIBA  
1-1K1A  
Weight: 0.0011 g (typ.)  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Reverse voltage  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
I
= 1 μA  
R
10  
⎯
⎯
⎯
⎯
3
V
R
Reverse current  
I
C
C
V
V
V
= 10 V  
nA  
R
R
R
R
= 1 V, f = 1 MHz  
= 4 V, f = 1 MHz  
⎯
5.7  
1.85  
2.7  
⎯
⎯
6.7  
2.45  
⎯
1V  
4V  
Capacitance  
pF  
⎯
Capacitance ratio  
Series resistance  
C
/C  
1V 4V  
2.8  
0.55  
⎯
Ω
r
s
V
= 1 V, f = 470 MHz  
0.7  
R
Note: Signal level when capacitance is measured: V = 100 mVrms  
sig  
Marking  
E
1
2007-11-01  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JDV2S14E TOSHIBA

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JDV2S16S TOSHIBA

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