JAN2N6284

更新时间： 2024-02-14 02:05:53

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
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描述
NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR

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JAN2N6284 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.77
最大集电极电流 (IC)：	20 A	集电极-发射极最大电压：	100 V
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	500
JEDEC-95代码：	TO-204AA	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	参考标准：	MIL-19500/504
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	4 MHz
Base Number Matches：	1

JAN2N6284 数据手册

TECHNICAL DATA

NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 504

Devices

Qualified Level

JAN

2N6283

2N6284

JANTX

JANTXV

MAXIMUM RATINGS

Ratings

Symbol 2N6583 2N6284 Unit

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Base Current

Collector Current

Total Power Dissipation⁽¹⁾

100

Vdc

Adc

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_B

100

7.0

0.5

I_C

@ T_C= +25⁰C

@ T_C= +100⁰C

175

87.5

⁰C

P_T

Operating & Storage Junction Temperature Range

-65 to +200

T_J_,T

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

TO-3*

(TO-204AA)

Symbol

Max.

Unit

⁰C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Case

1) Derate linearly @ 1.17 W/⁰C above T_C> +25⁰C

0.857

qJC

*See appendix A for

package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_C= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 100 mAdc

Symbol

Min.

Max.

Unit

Vdc

100

2N6283

2N6284

V_(BR)

CEO

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 40 Vdc

V_CE= 50 Vdc

1.0

mAdc

2N6283

2N6284

I_CEO

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 80 Vdc, V_BE= 1.5 Vdc

V_CE= 100 Vdc, V_BE= 1.5 Vdc

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 7.0 Vdc

5.0

mAdc

2N6283

2N6284

I_CEX

2.5

I_EBO

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

120101

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JAN2N6284 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
JANTX2N6284	MICROSEMI	完全替代	NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR
2N6341	MICROSEMI	类似代替	NPN POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N6277	MICROSEMI	类似代替	PNP POWER SILICON TRANSISTOR

与JAN2N6284相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JAN2N6286	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 20A I(C) \| TO-3
JAN2N6287	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 100V V(BR)CEO \| 20A I(C) \| TO-3
JAN2N6298	MICROSEMI	获取价格	PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR
JAN2N6299	MICROSEMI	获取价格	PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR
JAN2N6300	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 8A I(C) \| TO-66
JAN2N6301	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 8A I(C) \| TO-66
JAN2N6306	MICROSEMI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AA, Metal
JAN2N6308	MICROSEMI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AA, Metal
JAN2N6338	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 100V V(BR)CEO \| 25A I(C) \| TO-3
JAN2N6339	MICROSEMI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 120V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL

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