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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-3 |
| 包装说明： | TO-3, 2 PIN | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.22 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 8 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 350 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 3 | JEDEC-95代码： | TO-204AA |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Qualified |
| 参考标准： | MIL-19500/498D | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN2N6338 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 25A I(C) | TO-3 |
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| JAN2N6339 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 120V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |
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| JAN2N6340 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 140V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |
|
| JAN2N6341 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 150V V(BR)CEO | 25A I(C) | TO-3 |
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| JAN2N6350 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR |
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| JAN2N6351 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR |
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| JAN2N6352 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR |
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| JAN2N6353 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JAN2N6378 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 100V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, |
|
| JAN2N6379 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 50A I(C) | TO-3 |
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