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JAN2N6306

更新时间： 2024-11-04 20:26:19

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		局域网晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	53K
描述
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AA, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN

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JAN2N6306 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-3
包装说明：	TO-3, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.19
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	8 A	集电极-发射极最大电压：	250 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	4
JEDEC-95代码：	TO-204AA	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Qualified	参考标准：	MIL-19500/498D
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

JAN2N6306 数据手册

TECHNICAL DATA

NPN POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 498

Devices

Qualified Level

JAN

2N6306

2N6308

JANTX

JANTXV

MAXIMUM RATINGS

2N6306 2N6308

Ratings

Symbol

Units

Vdc

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

250

500

350

700

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Vdc

8.0

Vdc

Adc

Base Current

4.0

125

62.5

Adc

⁰C

I_B

Total Power Dissipation

@ T_C= +25⁰C ⁽¹⁾

@ T_C= +100⁰C ⁽¹⁾

P_T

Operating & Storage Temperature Range

1) Between T_C= +25⁰C and T_C= +175⁰C, linear derating factor average = 0.833 W/⁰C

TO-3 (TO-204AA)*

-65 to +200

T_op,

stg

*See Appendix A for Package

Outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Characteristics

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Base Breakdown Voltage

I_C= 100 mAdc

Symbol

Min.

Max.

Unit

Vdc

2N6306

2N6308

V_(BR)

250

350

CEO

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 500 Vdc; V_BE= 1.5 Vdc

V_CE= 700 Vdc; V_BE= 1.5 Vdc

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 250 Vdc

V_CE= 350 Vdc

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 8 Vdc

2N6306

2N6308

I_CEX

mAdc

5.0

2N6306

2N6308

I_CEO

mAdc

I_EBO

5.0

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

120101

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

Page 1 of 2

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JAN2N6306 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
JAN2N6277	MICROSEMI	类似代替	PNP POWER SILICON TRANSISTOR
2N6341G	ONSEMI	功能相似	High-Power NPN Silicon Transistors
2N6284G	ONSEMI	功能相似	Darlington ComplementarySilicon Power Transistors

与JAN2N6306相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JAN2N6308	MICROSEMI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AA, Metal
JAN2N6338	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 100V V(BR)CEO \| 25A I(C) \| TO-3
JAN2N6339	MICROSEMI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 120V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL
JAN2N6340	MICROSEMI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 140V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL
JAN2N6341	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 150V V(BR)CEO \| 25A I(C) \| TO-3
JAN2N6350	MICROSEMI	获取价格	NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR
JAN2N6351	MICROSEMI	获取价格	NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR
JAN2N6352	MICROSEMI	获取价格	NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR
JAN2N6353	MICROSEMI	获取价格	NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR
JAN2N6378	MICROSEMI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 100V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,

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