是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-3 |
包装说明: | TO-3, 2 PIN | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 1.45 |
外壳连接: | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC): | 20 A |
集电极-发射极最大电压: | 100 V | 配置: | DARLINGTON |
最小直流电流增益 (hFE): | 500 | JEDEC-95代码: | TO-204AA |
JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 200 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | NPN |
认证状态: | Qualified | 参考标准: | MIL-19500/504C |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | PIN/PEG | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 4 MHz |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
JANTXV2N6284 | MICROSEMI |
完全替代 |
NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR | |
JAN2N6284 | MICROSEMI |
完全替代 |
NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR | |
2N6283 | MICROSEMI |
完全替代 |
NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
JANTX2N6286 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 80V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-3 | |
JANTX2N6287 | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR | |
JANTX2N6298 | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR | |
JANTX2N6299 | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR | |
JANTX2N6300 | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR | |
JANTX2N6301 | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR | |
JANTX2N6306 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-3 | |
JANTX2N6308 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 350V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-3 | |
JANTX2N6338 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 25A I(C) | TO-3 | |
JANTX2N6339 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 120V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |