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| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.75 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 10 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JEDEC-95代码： | TO-204AA | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | PNP |
| 参考标准： | MIL-19500 | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTX2N6660 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| JANTX2N6660B | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.99A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| JANTX2N6660B | TEMIC |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.99A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| JANTX2N6661 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| JANTX2N6661-2 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.86A I(D), 90V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| JANTX2N6661B | TEMIC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.86A I(D), 90V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| JANTX2N6661P | VISHAY |
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TRANSISTOR 860 mA, 90 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-205AD, TO-39 TOLL LID, 3 |
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| JANTX2N6674 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-204AA |
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| JANTX2N6675 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-204AA |
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| JANTX2N6676 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
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