是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-63 |
包装说明: | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-X3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | HTS代码: | 8541.29.00.95 |
风险等级: | 5.25 | 外壳连接: | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC): | 15 A | 集电极-发射极最大电压: | 400 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 8 |
JEDEC-95代码: | TO-61 | JESD-30 代码: | O-MUPM-X3 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 200 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | POST/STUD MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | NPN | 最大功率耗散 (Abs): | 175 W |
认证状态: | Qualified | 参考标准: | MIL |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | UNSPECIFIED |
端子位置: | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 15 MHz | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
JANTXV2N6693 | MICROSEMI |
完全替代 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR | |
JAN2N6693 | MICROSEMI |
完全替代 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR | |
2N6693 | MICROSEMI |
功能相似 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
JANTX2N6756 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=100V, Rds(on)=0.18ohm, Id=14A) | |
JANTX2N6756 | NJSEMI |
获取价格 |
HEXFET TRANSISTORS | |
JANTX2N6758 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=200V, Rds(on)=0.40ohm, Id=9A) | |
JANTX2N6760 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=400V, Rds(on)=1.00ohm, Id=5.5A) | |
JANTX2N6762 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=500V, Rds(on)=1.5ohm, Id=4.5A) | |
JANTX2N6764 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=100V, Rds(on)=0.055ohm, Id=38A) | |
JANTX2N6764 | MICROSEMI |
获取价格 |
N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/543 | |
JANTX2N6766 | MICROSEMI |
获取价格 |
N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/543 | |
JANTX2N6766 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=200V, Rds(on)=0.085ohm, Id=30A) | |
JANTX2N6766T1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |