是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | TO-63 |
包装说明: | TO-61, 3 PIN | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 5.38 |
外壳连接: | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC): | 15 A |
集电极-发射极最大电压: | 300 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 8 | JEDEC-95代码: | TO-61 |
JESD-30 代码: | O-MUPM-X3 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 200 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | POST/STUD MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | NPN |
最大功率耗散 (Abs): | 175 W | 认证状态: | Qualified |
参考标准: | MIL | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | UNSPECIFIED | 端子位置: | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 15 MHz |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
JANTXV2N6691 | MICROSEMI |
完全替代 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR | |
JAN2N6691 | MICROSEMI |
完全替代 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR | |
2N6691 | MICROSEMI |
功能相似 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
JANTX2N6693 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR | |
JANTX2N6756 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=100V, Rds(on)=0.18ohm, Id=14A) | |
JANTX2N6756 | NJSEMI |
获取价格 |
HEXFET TRANSISTORS | |
JANTX2N6758 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=200V, Rds(on)=0.40ohm, Id=9A) | |
JANTX2N6760 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=400V, Rds(on)=1.00ohm, Id=5.5A) | |
JANTX2N6762 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=500V, Rds(on)=1.5ohm, Id=4.5A) | |
JANTX2N6764 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=100V, Rds(on)=0.055ohm, Id=38A) | |
JANTX2N6764 | MICROSEMI |
获取价格 |
N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/543 | |
JANTX2N6766 | MICROSEMI |
获取价格 |
N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/543 | |
JANTX2N6766 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=200V, Rds(on)=0.085ohm, Id=30A) |