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JANTX2N6762 PDF预览

JANTX2N6762

更新时间： 2024-09-27 22:57:27
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
6页 205K
描述
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=500V, Rds(on)=1.5ohm, Id=4.5A)

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JANTX2N6762 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：TO-3, 2 PINReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.2Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：1.1 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.5 A
最大漏极电流 (ID)：4.5 A最大漏源导通电阻：1.8 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-204AA
JESD-30 代码：O-MBFM-P2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：18 A认证状态：Qualified
参考标准：MIL-19500/542子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：PIN/PEG端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

JANTX2N6762 数据手册

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Index  
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Provisional Data Sheet No. PD-9.336E  
JANTX2N6762  
JANTXV2N6762  
[REF:MIL-PRF-19500/542]  
HEXFET® POWER MOSFET  
[GENERIC:IRF430]  
N-CHANNEL  
500 Volt, 1.5Ω HEXFET  
Product Summary  
Part Number  
JANTX2N6768  
JANTXV2N6768  
BVDSS  
RDS(on)  
ID  
HEXFETtechnology is the key to International Rectifier’s  
advanced line of power MOSFET transistors.The effi-  
cient geometry achieves very low on-state resistance  
combined with high transconductance.  
500V  
4.5A  
1.5Ω  
HEXFET transistors also feature all of the well-estab-  
lish advantages of MOSFETs, such as voltage control,  
very fast switching, ease of paralleling and electrical  
parameter temperature stability. They are well-suited  
for applications such as switching power supplies, mo-  
tor controls, inverters, choppers, audio amplifiers, and  
high energy pulse circuits, and virtually any application  
where high reliability is required.  
Features:  
■ Avalanche Energy Rating  
■ Dynamic dv/dt Rating  
■ Simple Drive Requirements  
■ Ease of Paralleling  
■ Hermetically Sealed  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
JANTX2N6762, JANTXV2N6762 Units  
I
D
@ V  
= 10V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
4.5  
GS  
C
A
I
@ V  
= 10V, T = 100°C Continuous Drain Current  
3.0  
18  
D
GS  
C
I
Pulsed Drain Current➀  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
DM  
@T = 25°C  
P
75  
W
W/K ➄  
V
D
C
0.60  
±20  
V
Gate-to-Source Voltage  
Single PulseAvalanche Energy ➁  
Avalanche Current➀  
GS  
E
AS  
1.1  
mJ  
I
4.5  
A
AR  
E
RepetitiveAvalanche Energy➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➂  
Operating Junction  
—
mJ  
AR  
dv/dt  
3.5  
V/ns  
T
-55 to 150  
J
oC  
g
T
STG  
StorageTemperature Range  
Lead Temperature  
(0.063 in. (1.6mm) from  
300  
case for 10.5 seconds)  
11.5 (typical)  
Weight  
To Order  
 
 
123456

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JANTX2N6762 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF430 INFINEON

完全替代

 TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=500V, Rds(on)=1.5ohm, Id=4.5A)

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