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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> JANTX2N6758
JANTX2N6758 PDF预览

JANTX2N6758

更新时间： 2024-11-03 22:57:27
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
6页 206K
描述
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=200V, Rds(on)=0.40ohm, Id=9A)

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JANTX2N6758 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：TO-3, 2 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.18
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：54 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：9 A最大漏极电流 (ID)：9 A
最大漏源导通电阻：0.49 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-204AAJESD-30 代码：O-MBFM-P2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：75 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：36 A
认证状态：Qualified参考标准：MIL-19500/542
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：PIN/PEG
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

JANTX2N6758 数据手册

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Previous Datasheet  
Index  
Next Data Sheet  
Provisional Data Sheet No. PD-9.334E  
JANTX2N6758  
JANTXV2N6758  
[REF:MIL-PRF-19500/542]  
HEXFET® POWER MOSFET  
[GENERIC:IRF230]  
N-CHANNEL  
200 Volt, 0.40Ω HEXFET  
Product Summary  
Part Number  
JANTX2N6758  
JANTXV2N6758  
BVDSS  
RDS(on)  
ID  
HEXFET technology is the key to International  
Rectifier’s advanced line of power MOSFET transis-  
tors. The efficient geometry achieves very low on-  
state resistance combined with high transconductance.  
200V  
9A  
0.40Ω  
HEXFET transistors also feature all of the well-es-  
tablish advantages of MOSFETs, such as voltage  
control, very fast switching, ease of paralleling and  
electrical parameter temperature stability. They are  
well-suited for applications such as switching power  
supplies, motor controls, inverters, choppers, audio  
amplifiers, and high energy pulse circuits, and virtu-  
ally any application where high reliability is required.  
Features:  
■ Avalanche Energy Rating  
■ Dynamic dv/dt Rating  
■ Simple Drive Requirements  
■ Ease of Paralleling  
■ Hermetically Sealed  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
JANTX2N6758, JANTXV2N6758 Units  
I
D
@ V  
= 10V, T = 25°C Continuous Drain Current  
9
GS  
C
A
I
@ V  
= 10V, T = 100°C Continuous Drain Current  
6
36  
D
GS  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
DM  
@ T = 25°C  
P
75  
W
W/K ➄  
V
D
C
0.60  
±20  
54  
V
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy ➁  
Avalanche Current ➀  
GS  
E
mJ  
AS  
AR  
I
9
A
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➂  
Operating Junction  
7.5  
mJ  
AR  
dv/dt  
5.0  
V/ns  
T
-55 to 150  
J
oC  
g
T
Storage Temperature Range  
Lead Temperature  
STG  
(0.063 in. (1.6mm) from  
300  
case for 10.5 seconds)  
11.5 (typical)  
Weight  
To Order  
 
 
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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