5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 暂无类别数据> JANTX2N6756
JANTX2N6756 PDF预览

JANTX2N6756

更新时间： 2024-11-03 22:57:27
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
6页 207K
描述
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=100V, Rds(on)=0.18ohm, Id=14A)

阅读下载

中文翻译

获取价格

JANTX2N6756 数据手册

 浏览型号JANTX2N6756的Datasheet PDF文件第2页浏览型号JANTX2N6756的Datasheet PDF文件第3页浏览型号JANTX2N6756的Datasheet PDF文件第4页浏览型号JANTX2N6756的Datasheet PDF文件第5页浏览型号JANTX2N6756的Datasheet PDF文件第6页 
Previous Datasheet  
Index  
Next Data Sheet  
Provisional Data Sheet No. PD-9.333E  
JANTX2N6756  
JANTXV2N6756  
[REF:MIL-PRF-19500/542]  
HEXFET® POWER MOSFET  
[GENERIC:IRF130]  
N-CHANNEL  
100 Volt, 0.18Ω HEXFET  
Product Summary  
Part Number  
JANTX2N6756  
JANTXV2N6756  
BVDSS  
RDS(on)  
ID  
HEXFET technology is the key to International  
Rectifier’s advanced line of power MOSFET transis-  
tors. The efficient geometry achieves very low on-  
state resistance combined with high transconductance.  
100V  
14A  
0.18Ω  
HEXFET transistors also feature all of the well-es-  
tablish advantages of MOSFETs, such as voltage  
control, very fast switching, ease of paralleling and  
electrical parameter temperature stability. They are  
well-suited for applications such as switching power  
supplies, motor controls, inverters, choppers, audio  
amplifiers, and high energy pulse circuits, and virtu-  
ally any application where high reliability is required.  
Features:  
■ Avalanche Energy Rating  
■ Dynamic dv/dt Rating  
■ Simple Drive Requirements  
■ Ease of Paralleling  
■ Hermetically Sealed  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
JANTX2N6756, JANTXV2N6756 Units  
I
D
@ V  
= 10V, T = 25°C Continuous Drain Current  
14  
GS  
C
A
I
@ V  
= 10V, T = 100°C Continuous Drain Current  
9
56  
D
GS  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
DM  
@ T = 25°C  
P
75  
W
W/K ➄  
V
D
C
0.60  
±20  
75  
V
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy ➁  
Avalanche Current ➀  
GS  
E
mJ  
AS  
AR  
I
14  
A
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➂  
Operating Junction  
7.5  
mJ  
AR  
dv/dt  
5.5  
V/ns  
T
-55 to 150  
J
oC  
g
T
Storage Temperature Range  
Lead Temperature  
STG  
(0.063 in. (1.6mm) from  
300  
case for 10.5 seconds)  
11.5 (typical)  
Weight  
To Order  
 
 
123456

中文翻译

下载PDF

JANTX2N6756 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANTXV2N6756 INFINEON

完全替代

 TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=100V, Rds(on)=0.18ohm, Id=14A)
IRF130 INFINEON

类似代替

 TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=100V, Rds(on)=0.18ohm, Id=14A)

与JANTX2N6756相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANTX2N6758 INFINEON

获取价格

 		POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=200V, Rds(on)=0.40ohm, Id=9A)
JANTX2N6760 INFINEON

获取价格

 		POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=400V, Rds(on)=1.00ohm, Id=5.5A)
JANTX2N6762 INFINEON

获取价格

 		POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=500V, Rds(on)=1.5ohm, Id=4.5A)
JANTX2N6764 INFINEON

获取价格

 		POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=100V, Rds(on)=0.055ohm, Id=38A)
JANTX2N6764 MICROSEMI

获取价格

 		N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/543
JANTX2N6766 MICROSEMI

获取价格

 		N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/543
JANTX2N6766 INFINEON

获取价格

 		POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=200V, Rds(on)=0.085ohm, Id=30A)
JANTX2N6766T1 MICROSEMI

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
JANTX2N6768 INFINEON

获取价格

 		POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=400V, Rds(on)=0.300ohm, Id=14A)
JANTX2N6770 INFINEON

获取价格

 		POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=500v, Rds(on)=0.40ohm, Id=12A)

与JANTX2N6756相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证