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JANTX2N6661-2 PDF预览

JANTX2N6661-2

更新时间： 2024-11-04 19:41:23
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 48K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.86A I(D), 90V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AD, TO-39, 3 PIN

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JANTX2N6661-2 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：BCY
包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.25
其他特性：LOW THRESHOLD配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：90 V最大漏极电流 (ID)：0.86 A
最大漏源导通电阻：4 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：10 pFJEDEC-95代码：TO-205AD
JESD-30 代码：O-MBCY-W3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified参考标准：MIL
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

JANTX2N6661-2 数据手册

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2N6661JAN/JANTX/JANTXV  
Vishay Siliconix  
JAN Qualified N-Channel 90-V (D-S) MOSFETs  
PRODUCT SUMMARY  
V(BR)DSS Min (V)  
rDS(on) Max (W)  
VGS(th) (V)  
ID (A)  
90  
4 @ V = 10 V  
0.8 to 2  
0.86  
GS  
FEATURES  
BENEFITS  
APPLICATIONS  
D Military Qualified  
D Guaranteed Reliability  
D Low Offset Voltage  
D Military Applications  
D Low On-Resistance: 3.6 W  
D Low Threshold: 1.6 V  
D Direct Logic-Level Interface: TTL/CMOS  
D Low-Voltage Operation  
D Easily Driven Without Buffer  
D High-Speed Circuits  
D Low Error Voltage  
D Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers,  
Displays, Memories, Transistors, etc.  
D Low Input Capacitance: 35 pF  
D Fast Switching Speed: 6 ns  
D Low Input and Output Leakage  
D Battery Operated Systems  
D Solid-State Relays  
TO-205AD  
(TO-39)  
Device Marking  
Side View  
S
JAN2N6661*  
“S” fllxxyy  
1
“S” = Siliconix Logo  
f = Factory Code  
ll = Lot Traceability  
xxyy = Date Code  
2
3
*Note: or JANTX2N6661  
JANTXV2N6661  
G
D
Top View  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
V
90  
"20  
0.86  
0.54  
3
DS  
GS  
V
T
T
= 25_C  
= 100_C  
C
Continuous Drain Current (T = 150__C)  
I
J
D
A
C
a
Pulsed Drain Current  
I
DM  
T
= 25_C  
6.25  
0.725  
170  
C
Power Dissipation  
P
W
D
T = 25_C  
A
b
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
R
R
thJA  
_C/W  
_C  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
20  
thJC  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
J
–55 to 150  
stg  
Notes  
a. Pulse width limited by maximum junction temperature.  
b. Not required by Military Spec.  
Document Number: 70225  
S-04279—Rev. B, 16-Jul-01  
www.vishay.com  
11-1  
123

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与JANTX2N6661-2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANTX2N6661B TEMIC

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.86A I(D), 90V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
JANTX2N6661P VISHAY

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 		TRANSISTOR 860 mA, 90 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-205AD, TO-39 TOLL LID, 3
JANTX2N6674 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-204AA
JANTX2N6675 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-204AA
JANTX2N6676 MICROSEMI

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 		NPN POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N6676T1 MICROSEMI

获取价格

 		Transistor
JANTX2N6678 MICROSEMI

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 		NPN POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N6678T1 MICROSEMI

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JANTX2N6689 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-210AC
JANTX2N6690 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-210AC

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