JANTX2N6546

更新时间： 2024-11-03 22:57:27

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管功率双极晶体管
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2页	59K
描述
NPN POWER SILICON TRANSISTOR

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JANTX2N6546 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-204AA
包装说明：	TO-3, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.17	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	15 A
集电极-发射极最大电压：	300 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	6	JEDEC-95代码：	TO-3
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	175 W	认证状态：	Qualified
参考标准：	MIL-19500/525C	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	6 MHz
Base Number Matches：	1

JANTX2N6546 数据手册

TECHNICAL DATA

NPN POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 525

Devices

Qualified Level

JAN

2N6546

2N6547

JANTX

JANTXV

MAXIMUM RATINGS

2N6546 2N6547

Ratings

Symbol

Units

Vdc

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Base Current

300

600

400

850

V_CEO

V_CEX

V_EBO

I_B

Vdc

Adc

Collector Current

175

100

Adc

⁰C

I_C

Total Power Dissipation

@ T_C= +25⁰C ⁽¹⁾

@ T_C= +100⁰C ⁽¹⁾

P_T

Operating & Storage Temperature Range

TO-3 (TO-204AA)*

-65 to +200

T_op,

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

Thermal Resistance, Junction-to-Case

1) Between T_C= +25⁰C and T_C= +200⁰C, linear derating factor (average) = 1.0 W/⁰C

Symbol

Max.

Unit

⁰C/W

1.0

qJC

*See Appendix A for Package

Outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Characteristics

Symbol

Min.

Max.

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 100 mAdc

Vdc

2N6546

2N6547

V_(BR)

300

400

CEO

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 600 Vdc; V_BE= 1.5 Vdc

V_CE= 850 Vdc; V_BE= 1.5 Vdc

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 8 Vdc

2N6546

2N6547

mAdc

I_CEX

1.0

I_EBO

1.0

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

120101

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JANTX2N6546 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
JANTX2N6547	MICROSEMI	功能相似	NPN POWER SILICON TRANSISTOR
2N6547	STMICROELECTRONICS	功能相似	MULTIEPITAXIAL MESA NPN

与JANTX2N6546相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JANTX2N6547	MICROSEMI	获取价格	NPN POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N6603	MOTOROLA	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN
JANTX2N6648	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 40V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| TO-204MA
JANTX2N6649	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| TO-3
JANTX2N6650	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| TO-3
JANTX2N6660	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
JANTX2N6660B	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.99A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
JANTX2N6660B	TEMIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.99A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
JANTX2N6661	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
JANTX2N6661-2	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.86A I(D), 90V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

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