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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DISK BUTTON, O-CRDB-F4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | LOW NOISE |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.03 A | 基于收集器的最大容量： | 0.75 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 15 V | 配置： | SINGLE |
| 最高频带： | L BAND | JESD-30 代码： | O-CRDB-F4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | DISK BUTTON | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 参考标准： | MILITARY STANDARD (USA) |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | RADIAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTX2N6648 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 40V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-204MA |
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| JANTX2N6649 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 60V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3 |
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| JANTX2N6650 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 80V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3 |
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| JANTX2N6660 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| JANTX2N6660B | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.99A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| JANTX2N6660B | TEMIC |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.99A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| JANTX2N6661 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| JANTX2N6661-2 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.86A I(D), 90V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| JANTX2N6661B | TEMIC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.86A I(D), 90V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| JANTX2N6661P | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 860 mA, 90 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-205AD, TO-39 TOLL LID, 3 |
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