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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-66 |
| 包装说明： | TO-66, 2 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.16 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 8 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JEDEC-95代码： | TO-213AA | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Qualified |
| 参考标准： | MIL-19500/539 | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 4 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2N6301LEADFREE | CENTRAL |
功能相似  |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-66, Metal, 2 |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTX2N6306 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-3 |
|
| JANTX2N6308 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 350V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-3 |
|
| JANTX2N6338 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 25A I(C) | TO-3 |
|
| JANTX2N6339 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 120V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |
|
| JANTX2N6340 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 140V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |
|
| JANTX2N6341 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 150V V(BR)CEO | 25A I(C) | TO-3 |
|
| JANTX2N6350 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JANTX2N6351 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JANTX2N6352 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JANTX2N6353 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR |
|
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