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JANTX2N6384

更新时间： 2024-02-03 14:55:50
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页数 文件大小 规格书
16页 85K
描述
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 60V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3

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JANTX2N6384 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-3
包装说明：TO-3, 2 PIN针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.28
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：10 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：100JEDEC-95代码：TO-3
JESD-30 代码：O-MBFM-P2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Qualified
参考标准：MIL-19500/523B表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：PIN/PEG
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON

JANTX2N6384 数据手册

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The documentation and process conversion  
measures necessary to comply with this revision  
shall be completed by 10 November 1999.  
INCH-POUND  
MIL-PRF-19500/523B  
10 August 1999  
SUPERSEDING  
MIL-S-19500/523A  
21 July 1993  
PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET  
SEMICONDUCTOR DEVICE, DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, SILICON, POWER  
TYPES 2N6383, 2N6384, 2N6385, JAN, JANTX, AND JANTXV  
This specification is approved for use by all Depart-  
ments and Agencies of the Department of Defense.  
1. SCOPE  
1.1 Scope. This specification covers the performance requirements for NPN, silicon, power transistors. Three levels of product  
assurance are provided for each device type as specified in MIL-PRF-19500.  
1.2 Physical dimensions. See figure 1 (TO-3).  
1.3 Maximum ratings.  
P
1/  
P
2/  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
I
C
I
B
T
and  
OP  
T
T
R
Max  
qJC  
T
= +25°C  
T
= +25°C  
T
STG  
A
C
W
W
V dc  
V dc  
V dc  
A dc  
A dc  
°C  
°C/W  
2N6383  
2N6384  
2N6385  
6.0  
6.0  
6.0  
100  
100  
100  
40  
60  
80  
40  
60  
80  
5.0  
5.0  
5.0  
10  
10  
10  
0.25  
0.25  
0.25  
-55 to +175  
-55 to +175  
-55 to +175  
1.75  
1.75  
1.75  
1/ Derate linearly 34.2 mW/°C above T > +25°C.  
A
2/ Derate linearly 571 mW/°C above T > +25°C.  
C
1.4 Primary electrical characteristics.  
Switching  
V = 30 V dc  
CC  
h
V
V
V
C
obo  
|h |  
fe  
FE1  
CE(SAT)1  
CE(SAT)2  
BE(ON)1  
V
= 3.0 V dc  
I
= 5.0 A dc  
I
= 10 A dc  
V
= 3.0 V dc  
V
CB  
= 10 V dc  
V
I
= 5.0 V dc  
CE  
C
C
CE  
CE  
I
= 5.0 A dc  
1/  
I
B
= 10 mA dc  
1/  
I
= 0.1 A dc  
1/  
I
= 5.0 A dc  
1/  
I
E
= 0  
= 1.0 A dc  
f = 1 MHz  
I
= 5.0 A dc  
C
B
C
C
CC  
100 kHz < f £ 1 MHz  
I
B1  
= 20 mA dc  
t
on  
t
f
of  
V dc  
2.0  
V dc  
3.0  
V dc  
2.8  
pF  
ms  
ms  
Min  
Max  
1,000  
20,000  
20  
300  
200  
2.5  
10.0  
1/ Pulsed, see 4.5.1  
Beneficial comments (recommendations, additions, deletions) and any pertinent data which may be of use in improving this document  
should be addressed to: Commander, Defense Supply Center Columbus, ATTN: DSCC-VAC, 3990 East Broad Street, Columbus, OH  
43216-5000, by using the Standardization Document Improvement Proposal (DD Form 1426) appearing at the end of this document or  
by letter.  
AMSC N/A  
FSC 5961  
DISTRIBUTION STATEMENT A. Approved for public release; distribution is unlimited.  
1234567...16

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与JANTX2N6384相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANTX2N6385 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 80V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3
JANTX2N6437 MICROSEMI

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 		暂无描述
JANTX2N6546 MICROSEMI

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 		NPN POWER SILICON TRANSISTOR
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 		NPN POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N6603 MOTOROLA

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JANTX2N6660 VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
JANTX2N6660B VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.99A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

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