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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.9 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 50 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 120 V | 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 |
| JEDEC-95代码： | TO-3 | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| JESD-609代码： | e0 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 参考标准： | MIL |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| JANTXV2N6379 | MICROSEMI |
功能相似  |
Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 120V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTX2N6383 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 40V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3 |
|
| JANTX2N6384 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 60V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3 |
|
| JANTX2N6385 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 80V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3 |
|
| JANTX2N6437 | MICROSEMI |
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暂无描述 |
|
| JANTX2N6546 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
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| JANTX2N6547 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
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| JANTX2N6603 | MOTOROLA |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN |
|
| JANTX2N6648 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 40V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-204MA |
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| JANTX2N6649 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 60V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3 |
|
| JANTX2N6650 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 80V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3 |
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