JANTX2N6298

更新时间： 2024-11-23 22:57:27

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管功率双极晶体管局域网
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描述
PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR

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JANTX2N6298 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-66
包装说明：	TO-66, 2 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.16	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	8 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JEDEC-95代码：	TO-213AA
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	JESD-609代码：	e0
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Qualified
参考标准：	MIL-19500/540B	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	4 MHz
Base Number Matches：	1

JANTX2N6298 数据手册

TECHNICAL DATA

PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 540

Devices

Qualified Level

JAN

2N6298

2N6299

JANTX

JANTXV

MAXIMUM RATINGS

Ratings

Symbol 2N6298 2N6299 Units

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Base Current

Vdc

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_B

Vdc

5.0

120

8.0

Vdc

mAdc

Adc

Collector Current

I_C

Total Power Dissipation @ T_C= 0⁰C ⁽¹⁾

⁰C

P_T

T_C= 100⁰C

Operating & Storage Junction Temperature Range

-65 to +175

T_OP_,T_STG

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

Symbol

Max.

Unit

⁰C/W

TO-66* (TO-213AA)

Thermal Resistance, Junction-to-Case

1) Derate linearly 0.428 W/⁰C above T_C> 0⁰C

2.33

qJC

*See appendix A for

package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_C= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 100 mAdc

Symbol

Min.

Max.

Unit

Vdc

2N6298

2N6299

V_(BR)

CEO

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 30 Vdc

V_CE= 40 Vdc

0.5

mAdc

2N6298

2N6299

I_CEO

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 60 Vdc, V_BE= 1.5 Vdc

V_CE= 80 Vdc, V_BE= 1.5 Vdc

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 5.0 Vdc

0.5

mAdc

2N6298

2N6299

I_CEX

2.0

I_EBO

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

120101

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JANTX2N6298 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
JANTX2N6299	MICROSEMI	类似代替	PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR
2N6299	CENTRAL	功能相似	Power Transistors

与JANTX2N6298相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JANTX2N6299	MICROSEMI	获取价格	PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N6300	MICROSEMI	获取价格	PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N6301	MICROSEMI	获取价格	PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N6306	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 250V V(BR)CEO \| 8A I(C) \| TO-3
JANTX2N6308	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 350V V(BR)CEO \| 8A I(C) \| TO-3
JANTX2N6338	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 100V V(BR)CEO \| 25A I(C) \| TO-3
JANTX2N6339	MICROSEMI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 120V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL
JANTX2N6340	MICROSEMI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 140V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL
JANTX2N6341	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 150V V(BR)CEO \| 25A I(C) \| TO-3
JANTX2N6350	MICROSEMI	获取价格	NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR

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