5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> JAN2N6249
JAN2N6249 PDF预览

JAN2N6249

更新时间： 2024-11-26 23:16:43
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 61K
描述
NPN POWER SILICON TRANSISTOR

阅读下载

中文翻译

获取价格

JAN2N6249 技术参数

是否无铅：含铅生命周期：Transferred
零件包装代码：TO-3针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.18
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：10 A集电极-发射极最大电压：225 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：10
JEDEC-95代码：TO-204JESD-30 代码：O-MBFM-P2
元件数量：1端子数量：2
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified参考标准：MIL
表面贴装：NO端子形式：PIN/PEG
端子位置：BOTTOM晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

JAN2N6249 数据手册

 浏览型号JAN2N6249的Datasheet PDF文件第2页 
TECHNICAL DATA  
NPN POWER SILICON TRANSISTOR  
Qualified per MIL-PRF-19500/ 510  
Devices  
Qualified Level  
JAN  
2N6249  
2N6251  
2N6250  
JANTX  
JANTXV  
JANHC  
MAXIMUM RATINGS  
2N6249 2N6250 2N6251  
Ratings  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Units  
Vdc  
200  
300  
275  
375  
6.0  
10  
350  
450  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Base Current  
5.0  
5.5  
175  
Adc  
W
W
0C  
IB  
Total Power Dissipation @ TA = +250C (1)  
PT  
@ TC = +250C (2)  
Operating & Storage Temp Range  
-55 to +200  
Top,  
T
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristics  
TO-3 (TO-204AA)*  
Symbol  
Max.  
Unit  
0C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
1.0  
R
qJC  
1) Derate linearly at 34.2 mW/0C for TA > +250C  
2) Derate linearly at 1.0 W/0C for TC > +250C  
*See Appendix A for Package  
Outline  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 250C unless otherwise noted)  
Characteristics  
Symbol  
Min.  
Max.  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
IC = 200 mAdc; L = 42 mH; F = 30-60 Hz  
(See Figure 3 of MIL-PRF-19500/510)  
2N6249  
2N6250  
2N6251  
200  
275  
350  
Vdc  
V(BR)  
CEO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
IC = 200 mAdc; L = 14 mH; F = 30-60 Hz; RBE = 50W  
(See Figure 3 of MIL-PRF-19500/510)  
Vdc  
V(BR)  
2N6249  
2N6250  
2N6251  
225  
300  
375  
CER  
Emitter-Base Cutoff Current  
VEB = 6 Vdc  
IEBO  
mAdc  
100  
Collector-Emitter Cutoff Current  
VCE = 150 Vdc  
VCE = 225 Vdc  
2N6249  
2N6250  
2N6251  
1.0  
1.0  
1.0  
mAdc  
ICEO  
VCE = 300 Vdc  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803  
120101  
Page 1 of 2  
12

中文翻译

下载PDF

JAN2N6249 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2N5665 MICROSEMI

类似代替

 NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/455
2N6341G ONSEMI

功能相似

 High-Power NPN Silicon Transistors
2N6284G ONSEMI

功能相似

 Darlington ComplementarySilicon Power Transistors

与JAN2N6249相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JAN2N6249T1 MICROSEMI

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-254AA, TO-2
JAN2N6250 MICROSEMI

获取价格

 		NPN POWER SILICON TRANSISTOR
JAN2N6250T1 MICROSEMI

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 275V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-254AA, TO-2
JAN2N6251 MICROSEMI

获取价格

 		NPN POWER SILICON TRANSISTOR
JAN2N6251T1 MICROSEMI

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-254AA, TO-2
JAN2N6274 MICROSEMI

获取价格

 		PNP POWER SILICON TRANSISTOR
JAN2N6277 MICROSEMI

获取价格

 		PNP POWER SILICON TRANSISTOR
JAN2N6283 MICROSEMI

获取价格

 		NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR
JAN2N6284 MICROSEMI

获取价格

 		NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR
JAN2N6286 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 80V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-3

与JAN2N6249相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证