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2N6284G

更新时间： 2024-01-15 04:54:37
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 129K
描述
Darlington ComplementarySilicon Power Transistors

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2N6284G 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Active
包装说明：HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.69
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：20 A集电极-发射极最大电压：100 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：750
JEDEC-95代码：TO-204AAJESD-30 代码：O-MBFM-P2
元件数量：1端子数量：2
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：PIN/PEG
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：4 MHz
Base Number Matches：1

2N6284G 数据手册

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2N6284 (NPN); 2N6286,  
2N6287 (PNP)  
Preferred Device  
Darlington Complementary  
Silicon Power Transistors  
These packages are designed for general−purpose amplifier and  
low−frequency switching applications.  
http://onsemi.com  
Features  
20 AMPERE  
• High DC Current Gain @ I = 10 Adc −  
C
COMPLEMENTARY SILICON  
POWER TRANSISTORS  
100 VOLTS, 160 WATTS  
h
= 2400 (Typ) − 2N6284  
= 4000 (Typ) − 2N6287  
FE  
• Collector−Emitter Sustaining Voltage −  
= 100 Vdc (Min)  
V
CEO(sus)  
COLLECTOR  
CASE  
• Monolithic Construction with Built−In Base−Emitter Shunt Resistors  
• Pb−Free Packages are Available*  
BASE  
1
MAXIMUM RATINGS (Note 1)  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
EMITTER 2  
Collector−Emitter Voltage  
V
CEO  
Vdc  
2N6286  
2N6284/87  
80  
100  
MARKING DIAGRAM  
Collector−Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
V
Vdc  
CB  
2N6286  
2N6284/87  
80  
100  
1
2N628xG  
AYYWW  
MEX  
V
5.0  
Vdc  
Adc  
2
EB  
TO−204AA (TO−3)  
CASE 1−07  
Collector Current − Continuous  
I
20  
40  
C
Peak  
STYLE 1  
Base Current  
I
B
0.5  
Adc  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
P
D
160  
0.915  
W
W/°C  
2N628x = Device Code  
x = 4, 6 or 7  
C
Derate above 25°C  
G
A
YY  
WW  
MEX  
= Pb−Free Package  
= Location Code  
= Year  
= Work Week  
= Country of Orgin  
Operating and Storage Temperature  
Range  
T , T  
−65 to +200  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS (Note 1)  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance, Junction−to−Case  
R
1.09  
°C/W  
q
JC  
ORDERING INFORMATION  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Indicates JEDEC Registered Data.  
Device  
Package  
Shipping  
2N6284  
TO−3  
100 Units/Tray  
100 Units/Tray  
2N6284G  
TO−3  
(Pb−Free)  
2N6286  
TO−3  
100 Units/Tray  
100 Units/Tray  
2N6286G  
TO−3  
(Pb−Free)  
2N6287  
TO−3  
100 Units/Tray  
100 Units/Tray  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
2N6287G  
TO−3  
(Pb−Free)  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2008  
1
Publication Order Number:  
September, 2008 − Rev. 4  
2N6284/D  
 
1234567

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2N6284G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2N6341 ONSEMI

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 		POWER TRANSISTORS(20A,160W)
2N6285LEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2

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