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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2N6285LEADFREE
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2N6285LEADFREE

更新时间： 2024-11-04 12:58:23
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
1页 53K
描述
Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN

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2N6285LEADFREE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-204AA
包装说明：FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.07
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：20 A
基于收集器的最大容量：600 pF集电极-发射极最大电压：60 V
配置：DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE)：100
JEDEC-95代码：TO-3JESD-30 代码：O-MBFM-P2
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：200 °C
最低工作温度：-65 °C封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：160 W认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：PIN/PEG端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：4 MHz
VCEsat-Max：3 VBase Number Matches：1

2N6285LEADFREE 数据手册

  
Power Transistors  
TO-3 Case (Continued)  
TYPE NO.  
I
P
BV  
BV  
h
@ I  
V
@ I  
f
C
D
CBO  
CEO  
FE  
C
CE(SAT)  
C
T
*TYP  
*TYP  
(MHz)  
MIN  
(A)  
(W)  
(V)  
(V)  
(A)  
(V)  
(A)  
NPN  
PNP  
MAX  
MIN  
MIN  
MIN  
20  
10  
8.0  
6.0  
20  
MAX  
MAX  
2N6248  
10  
10  
10  
10  
15  
15  
20  
20  
20  
8.0  
8.0  
8.0  
15  
10  
10  
10  
15  
15  
15  
15  
5.0  
5.0  
8.0  
8.0  
15  
15  
12  
15  
15  
15  
8.0  
8.0  
8.0  
125  
175  
175  
175  
115  
150  
160  
160  
160  
125  
125  
125  
117  
100  
100  
100  
125  
125  
125  
125  
100  
100  
125  
125  
175  
175  
100  
120  
120  
120  
150  
150  
150  
110  
300  
375  
450  
55  
100  
60  
80  
100  
500  
600  
700  
50  
40  
60  
80  
50  
50  
70  
90  
650  
850  
650  
850  
650  
850  
45  
60  
90  
120  
350  
400  
450  
100  
200  
275  
350  
45  
80  
60  
80  
100  
250  
300  
350  
40  
40  
60  
80  
40  
40  
60  
80  
300  
400  
300  
400  
300  
400  
40  
60  
90  
120  
300  
350  
400  
100  
50  
50  
50  
70  
70  
5.0  
10  
10  
10  
3.0  
5.0  
3.5  
1.5  
1.5  
1.5  
4.0  
4.0  
3.0  
3.0  
3.0  
5.0  
5.0  
5.0  
4.0  
3.0  
3.0  
3.0  
3.5  
3.5  
3.5  
3.5  
1.0  
1.0  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
4.0  
4.0  
4.0  
2.0  
2.0  
2.0  
10  
10  
10  
10  
15  
15  
20  
20  
20  
8.0  
8.0  
8.0  
16  
10  
10  
10  
15  
15  
15  
15  
3.0  
3.0  
8.0  
5.0  
10  
10  
4.0  
15  
15  
15  
8.0  
8.0  
8.0  
4.0  
2.5  
2.5  
2.5  
4.0  
- -  
2N6249  
2N6250  
2N6251  
2N6253  
2N6254  
2N6282  
2N6283  
2N6284  
2N6306  
2N6307  
2N6308  
2N6371  
2N6383  
2N6384  
2N6385  
20  
2N6285  
2N6286  
2N6287  
750 18,000 10  
750 18,000 10  
750 18,000 10  
4.0  
4.0  
4.0  
5.0  
5.0  
5.0  
4.0  
6.0  
6.0  
6.0  
4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
6.0  
6.0  
6.0  
6.0  
6.0  
6.0  
2.5  
6.0  
6.0  
6.0  
15  
15  
15  
12  
15  
75  
75  
60  
60  
8.0  
8.0  
8.0  
8.0  
2N6648  
2N6649  
2N6650  
2N6469  
1,000 20,000 5.0  
1,000 20,000 5.0  
1,000 20,000 5.0  
20  
20  
20  
20  
7.0  
7.0  
7.0  
7.0  
12  
12  
15  
150  
150  
150  
150  
35  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
3.0  
3.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
4.0  
2N6470  
2N6471  
2N6472  
2N6542  
2N6543  
2N6544  
2N6545  
2N6546  
2N6547  
2N6569  
2N6576  
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2N6671  
2N6672  
2N6673  
35  
35  
35  
60  
60  
2N6594  
200  
2,000 20,000 4.0  
2,000 20,000 4.0  
2,000 20,000 4.0  
10  
10  
10  
40  
40  
40  
- -  
- -  
- -  
15  
15  
Shaded areas indicate Darlington.  
83  
www.centralsemi.com  
1

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N6286 SEME-LAB

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 		Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3
2N6286 NJSEMI

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