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2N6286

更新时间： 2024-11-23 21:55:19
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安森美 - ONSEMI 晶体晶体管开关局域网
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8页 87K
描述
Darlington Complementary Silicon Power Transistors

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2N6286 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-3包装说明：CASE 1-07, TO-3, 2 PIN
针数：2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.15
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：20 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：100
JEDEC-95代码：TO-204AAJESD-30 代码：O-MBFM-P2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：200 °C
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：240
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：160 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn80Pb20)
端子形式：PIN/PEG端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：4 MHz
Base Number Matches：1

2N6286 数据手册

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ON Semiconductort  
NPN  
2N6283  
Darlington Complementary  
Silicon Power Transistors  
2N6284  
PNP  
. . . designed for general–purpose amplifier and low–frequency  
switching applications.  
2N6286  
2N6287  
• High DC Current Gain @ I = 10 Adc –  
C
h
FE  
= 2400 (Typ) – 2N6284  
= 4000 (Typ) – 2N6287  
• Collector–Emitter Sustaining Voltage –  
= 100 Vdc (Min)  
V
CEO(sus)  
DARLINGTON  
20 AMPERE  
COMPLEMENTARY  
SILICON  
• Monolithic Construction with Built–In Base–Emitter Shunt  
Resistors  
POWER TRANSISTORS  
100 VOLTS  
*MAXIMUM RATINGS  
Symbo  
l
2N6284  
2N6287  
2N6283  
2N6286  
160 WATTS  
Rating  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CEO  
80  
80  
100  
100  
V
CB  
V
EB  
5.0  
Collector Current – Continuous  
Peak  
I
C
20  
40  
Base Current  
I
0.5  
Adc  
B
CASE 1–07  
TO–204AA  
(TO–3)  
Total Device Dissipation @ T  
25_C  
=
P
160  
0.915  
Watts  
W/_C  
C
D
Derate above 25_C  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T ,T  
–65 to +200  
_C  
J
stg  
*THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
1.09  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
*Indicates JEDEC Registered Data.  
R
_C/W  
θ
JC  
160  
140  
120  
100  
80  
60  
40  
20  
0
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
175  
200  
T , CASE TEMPERATURE (°C)  
C
Figure 1. Power Derating  
1
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
Publication Order Number:  
May, 2001 – Rev. 1  
2N6284/D  
12345678

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2N6286 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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2N6287 STMICROELECTRONICS

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